一、CdCl_2气相退火对CdTe/CdS太阳能电池的影响（论文文献综述）
陈文文[1]（2019）在《ZnO/CdS纳米阵列制备及CdTe复合调控光催化性能的研究》文中认为氢能源作为一种高效清洁无污染的二次能源受到广泛的关注。利用光（电）催化分解水制氢是制备氢气的重要途径。CdS是一种典型Ⅱ-Ⅵ族n型半导体材料,具有较窄的禁带宽度（2.4eV）和合适的可见光吸收范围。然而,单一的CdS半导体材料存在较低的载流子分离效率,以及低的载流子传输和转移问题,尤其是空穴的传输和转移速度较慢,在光催化过程中CdS很容易被空穴氧化而导致催化稳定性的降低。提高CdS的结晶度是提高载流子传输和转移能力的关键。在本论文中,通过ZnO纳米阵列与CdS形成的ZnO/CdS纳米异质结阵列提高光生载流子的分离效率。为了加快CdS的空穴传输和转移能力,通过不同的退火方法提高CdS的结晶度及优化异质结的界面。同时为了进一步增加CdS的光吸收范围,本实验用电化学沉积的方法在ZnO/CdS纳米异质结阵列上沉积了一层CdTe,达到增加光吸收效率的目的。采用CdCl2辅助热处理的方法来复合调控材料的光吸收范围,从而提高了材料的光催化效率。研究中,采用水热法在FTO导电玻璃衬底上生长ZnO纳米阵列,采用化学浴沉积（CBD）法在ZnO纳米棒表面沉积CdS,形成ZnO/CdS纳米异质结阵列;再通过CdCl2辅助热处理的方法,提高CdS的结晶度和ZnO与CdS之间的界面质量。在此基础上通过电化学沉积CdTe提高异质结的PEC效率。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线光电子能谱（XPS）被用来表征纳米异质结阵列的形貌、晶体结构及组成;采用线性扫描伏安（LSV）法和电化学阻抗谱（EIS）测试纳米异质结阵列的光催化制氢性能。研究结果证明,仅在430?C的温度下用CdCl2辅助热处理就可以明显提高CdS的结晶度同时CdS层的致密性也得到了明显的提高;并且在ZnO/CdS界面处形成了ZnxCd1-xS中间层。对EIS结果分析表明,PEC光电流的提高是由于CdS结晶度的改善提高了空穴的传输和转移速率。同时,退火导致的CdS致密度的提高及ZnxCd1-xS中间层的形成能有效地防止内部的ZnO被电解质溶液腐蚀,这也有助于PEC的稳定性。另外,由于Cl-的引入在CdS内形成了一种高密度的ClS的掺杂态,形成一个中间能级（IB）,提高了ZnO/CdS NHAs的吸光范围,从而大幅度提高PEC效率。通过在纳米异质结阵列表面电化学沉积CdTe层并通过优化沉积和退火工艺进一步提高其光吸收范围。研究发现电沉积溶液中NTA/Cd2+的络合比对ZnO/CdS纳米异质结阵列中ZnO具有不同的腐蚀行为,络合比越大腐蚀性越强,当络合比达到1.8:1时可以完全防止ZnO的腐蚀。在此基础上,用CdCl2辅助热处理可以促进CdTe层与CdS层的互扩散,获得CdS1-xTex合金层,实现对CdTe/CdS/ZnO纳米阵列的光吸收范围的调控,使其光电流密度相比于ZnO/CdS高出1.7倍。
翁泽平[2]（2018）在《SnTe缓冲层在CdTe薄膜太阳电池背接触中的应用》文中认为近年来,CdTe薄膜太阳电池展现出了广阔的市场应用前景。然而,现今CdTe薄膜太阳电池的转换效率和其理论极限之间仍然存在着巨大差距。尤其是电池的开路电压（Voc）还需要进一步地提升,其被CdTe材料过高的功函数所限制。在此学位论文的研究工作中,p型SnTe薄膜作为背接触缓冲层被应用到了 CdTe薄膜太阳电池中。SnTe是Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体中的一员,具有直接跃迁和窄禁带等属性,并且其拥有低电阻、高迁移率和高载流子浓度的优良电学特性。X射线光电子能谱（XPS）表征表明在CdTe/SnTe异质结界面,SnTe的价带顶比CdTe高了0.76 eV。这个价带差很适合空穴从CdTe向SnTe流动。在这份学位论文中,采用了热蒸发的方法来制备SnTe薄膜。然后将SnTe以及其它背接触缓冲层应用到了CdTe薄膜太阳电池中,并对这些电池的性能进行了详细地分析。取得的创新性成果如下:1、将100 nm厚的单层SnTe缓冲层应用到电池的背接触中,制备了无Cu的CdTe薄膜太阳电池,其展现出了与传统CuxTe或者ZnTe:Cu缓冲层结构的电池相媲美的效率。由于Cu被认为会引起CdTe薄膜太阳电池性能的退化,单层SnTe缓冲层的电池会拥有更好的稳定性。2、考虑到CdTe和SnTe异质结界面存在界面复合,在CdTe和金属Ni之间加入了一种更合理的结构,即ZnTe:Cu（60 nm）-SnTe（40 nm）结构,ZnTe:Cu作为电子反射层可以有效的减少在CdTe和SnTe界面发生的复合。因此,制备出了最好性能的电池,其转换效率为14.60%,填充因子为70.20%,开路电压达841.3 mV,短路电流密度达24.7 mA/cm2。ZnTe:Cu/SnTe双缓冲层结构实现了开路电压近40 mV的提升。3、发现了Sn原子在CdTe吸收层中的扩散可以提高CdTe空穴浓度。这个发现为实现CdTe更好的p型掺杂提供了一种新方法,有助于提升CdTe薄膜太阳电池的性能。
冯凯[3]（2017）在《CdTe薄膜的电化学沉积、结构与性能研究》文中研究说明碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池是一种以p型CdTe和n型CdS所组成的异质结为基础的薄膜太阳能电池。CdTe层作为光吸收层,其禁带宽度为1.46 eV,光吸收率高,是一种典型的II-VI族直接带隙半导体。CdTe薄膜太阳能电池具有理论转换效率高,电池性能稳定,制备工艺简单等诸多优点,备受国内外关注。CdTe薄膜的制备方法有很多种,包括近空间升华法,气相输运法,磁控溅射法和电化学沉积法等等。其中,电化学沉积法因其成本低廉,工艺简单,易于大面积制备等优点受到了广大国内外科研人员的青睐。CdS层作为CdTe薄膜太阳能电池的窗口层,CdS中Cl浓度会影响电池中缓冲层的形成,化学浴沉积过程中Cl在CdS薄膜中的引入必将影响电池的性能。Cl掺杂CdTe是形成高效电池的必备条件。在电化学法制备的CdTe薄膜电池中,Cl通常通过电解质溶液在电沉积过程中被引入CdTe薄膜中,以提高薄膜质量和电池性能,但其作用机理尚不清晰。目前电化学沉积的CdTe薄膜的主要问题是晶粒小,晶界多,已有的退火方式会造成薄膜中气孔较多,电池的光生载流子复合严重,电池转换效率低。因此,需要优化电化学沉积CdTe薄膜的退火工艺来提高CdTe薄膜的结构和电池性能。同时,电化学沉积的CdTe薄膜的晶体结构和厚度的特殊性,也需要与其相适应的背接触层沉积和退火条件以提高电池性能。本文重点就以上这些问题展开研究,主要研究内容如下:（1）研究了CdS薄膜中Cl残留对薄膜结构性能及组装电池性能的影响。研究采用醋酸镉与氯化镉两种溶液体系化学浴沉积CdS薄膜。研究发现,两种体系中沉积的CdS薄膜均为六方相结构的n型半导体。退火后,CdCl2体系中制备的CdS薄膜晶粒尺寸要大于Cd（CH3COO）2体系中制备的CdS,其表面平整致密。所有CdS薄膜热处理后的禁带宽度都有所降低,但相比而言CdCl2体系中制备的CdS薄膜的禁带宽度更大。从Mott-Schottky曲线计算的载流子浓度发现,退火会降低CdS薄膜的载流子浓度,但随着更多Cl的引入载流子浓度又会增加。结果表明,CdS薄膜中Cl的残留将导致S空位及膜内应力的减少。通过组装的电池性能发现,采用CdCl2体系制备的CdS薄膜组装的电池性能更优。（2）通过对比含Cl与否的电解质溶液所沉积CdTe薄膜的结构性能,研究了Cl在电解质溶液中的引入对CdTe薄膜的电沉积过程,结构性能及所组装电池性能的影响。研究发现,含Cl电解质溶液中沉积出的CdTe薄膜的结构性能均优于不含Cl电解质溶液中沉积出的薄膜,这要归因于薄膜电导率的提高,进而减少了薄膜沉积过程中反应界面处的电位降,使得薄膜沉积以生长为主,从而获得了优异的初始结晶质量。此外,在不含Cl的电解质溶液中,提高沉积电位同样可获得良好的结晶质量。退火后,含Cl溶液中沉积的CdTe薄膜膜内Cl的残留使得所组装电池的性能得到了提高。（3）提出了一种针对电化学沉积法制备CdTe薄膜太阳能电池的新型退火工艺。与传统退火工艺相比,在Cl激活处理前,一个额外的预退火工艺被引入使得在Cl激活处理前CdTe薄膜可以获得良好的结晶性,最小化晶界的存在。因此,在第二步的Cl激活处理中,适度抑制了Cl沿着晶界渗入CdTe薄膜,并因此获得了较传统一步法更优良的CdS/CdTe界面。界面处孔洞的减少,也使得所组装的电池获得了更高的量子效率及光电转换效率。两步法退火工艺为进一步提高电化学沉积法制备CdTe薄膜太阳能电池的性能提供了一个新的思路。（4）为了优化电化学沉积法制备CdTe薄膜太阳能电池中背接触层的制备工艺,对不同酸腐时间,Cu层厚度及退火温度处理下的电池性能进行了分析,发现当酸腐时间为10 s,Cu层厚度为8 nm,退火温度为200℃的时候,所获电池性能最佳。这是由于对CdTe层进行适时的蚀刻处理可以去除表面的高阻氧化层,并形成一层富Te层。在富Te层表面,制备一层合适厚度的Cu层,经适宜温度退火后生成一个CuxTe层,形成重掺杂层,降低背接触势垒,促进了CdTe与背电极之间形成了欧姆接触,从而最终提高了电池的性能。
王亮[4]（2017）在《硒化锑薄膜太阳能电池：N型缓冲层和背场研究》文中认为新型的化合物半导体如有机无机杂化钙钛矿和铜锌锡硫硒在薄膜电池上已经得到广泛的研究与关注。相比于上述热点研究的几种吸收层材料,硒化锑（Sb2Se3）不仅包含环境友好型的化学元素,同时具有禁带宽度合适（1.17 eV）、吸光系数大（105 cm-1）、物相简单（二元单相）、原材料便宜无毒、长晶温度低等优势,非常有希望制备高效率低成本的薄膜电池。根据Shockley-Queisser理论计算,单结Sb2Se3薄膜太阳能电池的理论效率能达到30%以上。本课题主要围绕快速蒸发法制备的Sb2Se3薄膜太阳能电池中的N型缓冲层和背场进行研究与探讨:在我们研究前期,Sb2Se3电池的N型缓冲层CdS是通过化学水浴沉积法制备的,CdS表面存在杂质,易形成缺陷造成器件界面复合损失。本文发展了利用CdCl2在空气中对CdS薄膜热处理的方法,改善CdS薄膜的质量,进而提高其与Sb2Se3吸收层的异质结界面质量。通过比较处理前后器件的品质因子（A）、饱和暗电流密度（J0）以及性能数据,并结合处理前后CdS薄膜粗糙度（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）以及透过率（transmission）等表征,我们发现该处理方法引入的Cl和O有利于钝化CdS薄膜缺陷,最终实现5.6%的认证器件效率。由于Sb2Se3薄膜具有低的掺杂浓度（1013 cm-3）,因此将其与CdS缓冲层构建薄膜电池时,将导致低的内建电场强度和器件开路电压。鉴于此,我们提出了在Sb2Se3电池背场添加一层空穴传输层,并通过SCAPS软件的模拟,确定了空穴收集层的一般要求。我们优选PbS量子点作为空穴传输层,通过量子点大小和成膜工艺优化,不仅有效地减少Sb2Se3体内缺陷的复合,降低Sb2Se3器件背电场的势垒,而且还能提高器件的均匀性,获得了 6.5%的认证效率。我们又尝试了无毒的Cu-Sb-S量子点取代PbS量子点,发现Cu具有活化Sb2Se3薄膜的作用。最后,我们使用了 Cu（NO3）2溶液取代量子点处理Sb2Se3背场并取得了不错的器件性能。目前效率最高的的顶衬结构Sb2Se3电池都是以剧毒的CdS作为缓冲层,本论文对ZnO作为无毒缓冲层进行了研究。我们将硝酸锌水溶液作为前驱体使用喷涂镀膜的方法制备ZnO薄膜,通过工艺优化,得到高质量的ZnO薄膜。研究发现喷涂工艺可以调节ZnO薄膜的取向,随机取向的ZnO薄膜可以诱导[221]取向的Sb2Se3薄膜生长。ZnO基底与Sb2Se3薄膜的取向强关联性通过XRD和TEM分析证实,进一步的界面原子模型和表征分析表明随机取向ZnO构建的器件界面缺陷更少且效率更高。通过一系列的工艺优化和Sb2Se3背场清洗,得到认证效率为5.93%的全无毒ZnO/Sb2Se3电池。由此制备的电池还展现出极佳的湿热、负载、紫外光照和热震稳定性,且其未封装器件基本达到IEC61646工业标准,并通过进一步的电学与材料表征以及第一性原理计算表明界面无扩散、ZnO吸光弱是器件稳定性提高的主要原因。本项工作初步解决了缓冲层毒性和器件稳定性问题,推动了 Sb2Se3薄膜电池的进一步发展。
郭宝库[5]（2015）在《CdTe/CdS异质结的电化学制备及其光电性能研究》文中研究指明随着能源危机日益加剧,太阳电池作为一种新能源器件,其发展引起了人们的普遍关注。近年来,发展太阳电池的势头很迅猛。虽然碲化镉太阳能电池的市场份额相比晶体硅太阳能电池的低,但它具有明显的成本优势,因此吸引了广泛的关注。如何继续提高CdTe太阳电池转换效率和进一步降低成本成为了新的研究热点。为此,本论文采用电化学法制备、组装不同几何结构的异质结CdTe太阳电池,并详细研究了其光电性能。该方法既简化了工艺,又降低了成本。采用恒电流电沉积法在ITO基底上制备了CdS薄膜,随后在其上采用恒电位电沉积法制备了CdTe薄膜,形成CdTe/CdS二维异质结结构。采用一步水热法在ITO基底上制备了CdS纳米棒阵列,随后在其上采用恒电位电沉积法制备了CdTe薄膜,从而形成CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结结构。采用碳纳米管薄膜层作为背电极,对上述两种异质结组装了太阳电池并研究了其光电性能。在标准辐照（AM 1.5,100 mW/cm2）下,CdTe/CdS二维异质结太阳电池开路电压为0.294 V,短路电流密度为1.24 mA/cm2,填充因子为0.137,转换效率为0.05%。而CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结太阳电池开路电压达到0.609 V,短路电流密度是3.16 mA/cm2,填充因子为0.257,转换效率为0.495%。三维异质结太阳电池的开路电压、短路电流密度和转换效率,分别约是二维异质结太阳电池的2倍、2.5倍和10倍。
牟艳男[6]（2015）在《碲化镍薄膜的制备及其在碲化镉光电池中的应用》文中提出自从开展太阳能电池的研究以来，降低成本和提高效率始终是太阳能电池研究的目标。目前，碲化镉（CdTe）太阳能电池被认为是最有希望的下一代高效率、低成本太阳能电池。以金属镍（Ni）箔为衬底来制备底层配置的CdTe太阳能电池可以有效地降低制备成本，并且有望实现商业化生产。碲（Te）是一种重要的P型半导体材料，碲化镍（NiTe）是一种重要的半金属材料，而将Te转变为NiTe并将其作为背接触层的研究未见报道。本论文主要从半金属材料NiTe的合成及其在CdTe光电池中的应用方面进行研究，并得到了一系列有意义的结果。本文主要研究工作如下：（1）采用操作简单且成本低廉的电化学沉积方法以Ni箔为衬底，亚碲酸钠（Na2TeO3）的酸性水溶液为反应前驱物，由循环伏安曲线确定电沉积的电位，在-0.30V的沉积电位下沉积300s制备了类菜花状Te纳米柱阵列薄膜（以下简称Te纳米柱薄膜）。采用XRD，FESEM，TEM和SAED等测试手段对Te的结构和形貌进行表征。测试结果表明所得到的Te是具有六方结构的单晶，Te薄膜的厚度约为450nm，单根Te纳米柱的直径约为200nm,长度约为450nm。（2）以制备的Te薄膜为Te源，Ni衬底为Ni源，采用简单的热固相反应的方法探究了不同的热处理温度对镍碲化合物（NixTe）的结构的影响，研究发现随着退火温度的升高材料的结构呈现以下规律：Te→Ni3Te2→NiTe→NiTe2/Ni2.86Te2，在350oC下保温30min成功的将Te薄膜转变为结晶性良好的六方相的NiTe薄膜。对制备的NixTe薄膜进行电学测试，结果表明所制备的NixTe薄膜可以与Ni衬底形成良好的欧姆接触，其中，Ni/NiTe的电导率最大，这表明NiTe薄膜在以Ni为衬底的柔性太阳能电池中有潜在的应用。（3）在不同衬底温度下，用磁控溅射法在Ni衬底上制备CdTe薄膜，采用多种测试手段对制备的CdTe薄膜的晶体结构和性质进行测试，结果表明随着衬底温度由250oC升高到350oC，薄膜的形貌没有明显变化，但晶体质量明显提高。在衬底温度为450oC条件下制备得到的样品中存在NiTe相，这是因为在此温度下同时发生CdTe的升华与沉积，CdTe中的Te与Ni衬底发生了固相反应。Ni/NiTe/CdTe样品结构松散，CdTe内部存在很多孔洞和缺陷，而这些缺陷不利于光生电荷的分离和传输。为了解决上述问题，以Ni衬底上预沉积的Te薄膜作为Te源，在衬底温度为350oC的条件下获得均匀致密的Ni/NiTe/CdTe薄膜，其对可见光的吸收较强，光电测试结果说明样品Ni/NiTe/CdTe的短路电流密度为3.63mA/cm2，开路电压为390mV，其性能明显优于其它样品。（4）在Ni/NiTe/CdTe复合薄膜上采用化学沉淀法和磁控溅射方法依次制备CdS和ITO薄膜，并组装电池。对所制备的结构为Ni/NiTe/CdTe/CdS/ITO的薄膜光电池进行光电测试，得出短路电流密度为2.91mA·cm-2，开路电压为594mV,转换效率为0.56%，与未预沉积Te薄膜即没有NiTe半金属层的光电池相比较，光电转换效率（η）提高了115%。研究结果表明NiTe作为背接触层可以显着提高CdTe光电池的光电转换效率。通过进一步优化制备过程，该结构的光电池的光电转换效率仍有很大的提升空间。
詹红[7]（2014）在《CdS/CdTe薄膜太阳能电池相关材料及性能研究》文中指出CdS/CdTe薄膜太阳能电池是一种新型的薄膜电池，在光伏产业具有广泛的开发前景。CdS的化学性能比较稳定，是一种属于Ⅱ-Ⅵ族的化合物，半导体材料的禁带宽度为2.42eV，能透过绝大多数的太阳光，在CdS/CdTe太阳能电池的运用中是一种很好的n型光电导窗口材料。CdTe是一种直接带隙的半导体材料，其禁带宽度为1.46eV，是一种良好的光伏材料，能够与CdS形成良好的异质结。因此，CdS薄膜和CdTe薄膜的质量会直接影响到电池的最终的性能和寿命。本文主要有三个方面的工作：1、主要研究了运用化学水浴沉积法制备CdS的基本原理，并通过实验条件的改变，如沉积温度、沉积时间、反应溶液的pH值、退火条件等对薄膜质量的影响，分别用X射线衍射仪、扫描电镜和紫外可见吸收光谱等测试，从结构、形貌、光学特性等方面对其进行分析，通过讨论得出最佳优化条件。结论如下：（1）当沉积时间为60min时，沉积出的CdS薄膜均匀致密并且厚度基本稳定。（2）当沉积温度为80℃时非常有利于CdS六方晶面的生长，形成比较完整致密的薄膜，随着沉积温度的升高，光吸收边发生了红移，CdS的禁带宽度变窄。（3）随着溶液的pH值的升高，得到的CdS薄膜的形貌有较大改变，pH=10.5的条件下得到的CdS致密性最好，并且pH升高有利于CdS六方晶面的生长。（4）退火处理可以使CdS的禁带宽度变窄，在其表面悬涂CdCl2甲醇溶液退火处理可以有效地促进CdS晶粒的生长和重结晶，使薄膜变得更加致密均匀。（5）研究发现，在退火温度为400℃时效果最佳，退火温度大于400℃，CdS薄膜会被氧化。2、本文还研究了运用电化学沉积法制备CdTe薄膜，通过改变沉积CdTe薄膜的电位和后期的热处理条件，用X射线衍射仪、原子力显微镜和紫外可见吸收光谱等测试研究了不同沉积电位和热处理条件对CdTe薄膜的晶体结构、形貌和光学特性的影响。3、将CdS和CdTe薄膜制成一种新型的太阳能电池结构，并对其电学特性进行测试。
李勇[8]（2014）在《硫化镉/硅多界面纳米异质结光电特性研究》文中研究指明面对全球不断增长的能源需求和传统矿物能源带来的环境问题，绿色能源开发和节能器件制造愈来愈受到人们的重视。其中，低成本、高效率、长寿命太阳能电池和低能耗、高亮度、长寿命半导体发光二极管（LED）光源是两个重要的研究领域。基于硅材料和硅平面工艺在电子工业中的重要基础地位，对硅基纳米体系构筑技术、光电性能与原型器件的研究成为近年来纳米科学与技术领域的热点。在前期研究中，我们通过水热腐蚀单晶硅片制备出一种硅的微米/纳米结构复合体系，即硅纳米孔柱阵列（Silicon NanoporousPillar Array, Si-NPA）。结果表明，Si-NPA是一种性能优异的广谱光吸收材料和多谱带光致发光材料，而且其规则的阵列结构和纳米多孔结构则使其成为构筑硅基复合纳米体系的一种理想衬底和组装模板。在此基础上，本文以Si-NPA作为功能性衬底，采用化学水浴法制备了CdS/Si-NPA半导体复合纳米体系，并对复合体系的界面结构、光致/电致发光特性、整流特性和光伏特性进行了研究。论文取得了以下主要研究结果：1、CdS/Si-NPA界面结构表征与多界面纳米异质结概念的提出以Si-NPA为衬底，采用化学水浴法（CBD）制备了CdS/Si-NPA样品并对其表面形貌、界面结构和成分进行了系统表征。通过改变水浴液成分和浓度、水浴温度和时间等制备条件以及退火温度、时间等后处理条件，在一定程度上实现了对CdS/Si-NPA表面形貌、界面结构和成分的调控。在此基础上，提出了多界面纳米异质结的概念，并结合CdS/Si-NPA的结构特征建立了清晰的空间物理图象，即：CdS/Si-NPA的上层为由CdS纳米晶粒（nc-CdS）及其团聚体组成的连续薄膜；中间层为由nc-CdS和硅纳米晶（nc-Si）组成的界面区域，两种纳米晶随机分布、交错排列，彼此间形成众多的纳米异质结构；下层为纳米多孔硅层及单晶硅衬底。研究表明，随制备、退火条件不同，CdS/Si-NPA界面区的晶粒尺寸与组分均会发生一定程度的变化，但多界面纳米异质结本身均表现出典型的电学整流特性，这为后续制备基于CdS/Si-NPA的纳米光电器件并实现对其性能的调制奠定了基础。2、CdS/Si-NPA的室温及变温光致发光特性为澄清CdS/Si-NPA的光致发光（PL）机理并确定相关的辐射及非辐射复合过程，我们对作为功能性衬底的Si-NPA和CdS/Si-NPA的室温及变温PL谱进行了系统测量和分析。结果表明，Si-NPA具有紫外光、蓝光、橙光和红光四个发光峰，其峰位分别位于370nm、443nm、604nm和671nm。其中，紫外光可能来自SiO2中深能级辐射复合发光，蓝光可能来自于nc-Si中与氧或氮有关联的缺陷态发光，橙光可能来自于nc-Si的带-带跃迁发光，而红光则可能来自于nc-Si表面态或nc-Si/SiOx界面态辐射复合发光。新鲜制备CdS/Si-NPA样品的PL谱由一个蓝光带和一个绿光带组成，峰位分别位于446nm和526nm。其中，蓝光来源于Si-NPA衬底发光，绿光则归于nc-CdS的近带隙发射。经过不同温度退火后，来自Si-NPA衬底的蓝光峰位不发生改变；但随着退火温度从200oC逐步升高至300oC、400oC、500oC和600oC，绿光峰位将发生先红移、再蓝移的变化，最大波长变化达40nm，从300oC退火后的548nm到600oC退火后的508nm。与此同时，经过300oC及以上温度退火的样品，还出现了一个新的红光发光峰。结合对上述样品界面结构分析结果，Si-NPA的PL谱随样品退火温度的演化被归因于由此引起的nc-CdS尺寸和界面成分的变化。此外，通过采用不同的CBD沉积时间，也可以在一定程度上实现对nc-CdS的微结构特征和CdS/Si-NPA的PL谱的调制。半导体材料的非辐射复合过程对其发光特性具有重要的影响。针对经过300oC退火的CdS/Si-NPA样品，我们系统测量和分析了其变温PL谱。结果表明，不同温度下测得的PL谱均由绿光、橙光和红光三个发光峰组成。随着测试温度的升高，绿光、红光峰的峰位发生明显红移，但橙光峰的峰位几乎保持不变；与此同时，三个发光峰的峰位强度均逐渐减小，其中橙光、红光的发光强度在温度高于200K后几乎为零。相关机制分析表明，CdS/Si-NPA中的PL淬灭源于不同的、温度相关的非辐射复合过程。对于近带隙的绿光峰，其非辐射复合过程在低温下主要归因于重空穴到轻空穴的跃迁，而高温下则主要归因于LO声子被缺陷态散射所产生的热逃逸；橙光峰和红光峰显示出相似的PL谱演化趋势，其在低温和高温下的非辐射复合过程应归因于位于受主能级附近的、具有不同热激活能的两个局域表面态到受主能级的跃迁。上述非辐射复合过程的研究，将对未来优化材料制备工艺、提高器件性能具有重要的参考价值。3、CdS/Si-NPA的电学与电致发光特性通过双面电极制作，制备了结构为ITO/CdS/Si-NPA/sc-Si/Al的原型器件，并对其电学与电致发光（EL）特性进行了研究。结果表明，CdS/Si-NPA具有典型的整流特性。器件的开启电压为1.7V（电流密度1.0mA/cm2）。正向偏压为3.6V时，电流密度为194.70mA/cm2；反向偏压为3.6V时，漏电流密度为0.86mA/cm2，在3.6V整流比为226.4。反向击穿电压为6.0V。在正向偏压下，以1.38V为临界电压，异质结中的电荷输运机制在高、低电压区间分别符合欧姆机制和空间电荷限制电流（SCLC）模型；在反向偏压下，被占据捕获态引入的局域电场将导致空间势垒区厚度的减小、漏电流密度的升高和击穿电压的降低。对CdS/Si-NPA及其经过200oC、300oC、400oC、500oC退火样品的EL特性进行了测试。结果表明，在6V的正向偏压下，CdS/Si-NPA的EL谱为一宽的发光带（350-700nm），可以解谱为蓝、绿、红三个发光峰。通过光谱计算可知，CdS/Si-NPA发光的色坐标、色温和显色指数分别为（0.24,0.30）、13989K和82.6，可以用作一种偏冷的白光光源。经过200oC退火后，样品的EL谱与未退火时稍有变化，色温稍有降低而显色指数则稍有提高；经过300oC退火后，样品的EL谱的波长范围扩展为380-850nm，新出现一个红外发光峰，发光的色坐标、色温和显色指数分别为（0.34,0.36）、5090K和95.0，非常接近于自然白光；经过400oC退火后，样品的EL谱与300oC退火样品相似，但色温降为4223K，显色指数降为92.8，属于稍微偏暖的白光光源；经过500oC退火后，样品的EL谱波长范围迅速减小为500-800nm，小于550nm的短波长光基本消失，发光的色坐标、色温和显色指数分别为（0.52,0.46）、2303K和63.7，已经演化为一种比较标准的橙色光源。上述结果表明，通过控制样品退火条件，可以实现对体系色坐标、色温和显色指数有效调控，CdS/Si-NPA有望成为制备高品质硅基白光LED光源的一类理想材料体系。4、CdS/Si-NPA的光伏特性通过双面电极制作，制备了结构为ITO/CdS/Si-NPA/sc-Si/Al的太阳电池原型器件，并对其光伏特性进行了研究。结果表明，虽然CdS/Si-NPA具有明显的光伏效应和较高开路电压，但是由于其过大的串联电阻和较小的短路电流，电池的能量转换效率很低。为提高CdS/Si-NPA的能量转换效率，提出了在CdS-Si界面区域利用nc-Si的还原性原位还原嵌入镉纳米晶粒（nc-Cd）以减小串联电阻的设想，并通过改变CBD沉积条件得到实现。对新工艺制备CdS/Si-NPA的测试表明，通过在界面区域嵌入nc-Cd，太阳电池的串联电阻减小至原值的约百分之一，短路电流则提高了约三个数量级。在开路电压基本没有发生变化的情况下，电池的能量转换效率提高了530倍。这一结果表明，至少对基于多界面纳米异质结的太阳能电池，在异质结的界面区域嵌入适当的金属纳米颗粒对减小器件的串联电阻进而提高电池的能量转换效率，可能具有普遍的意义。
陈晓东[9]（2014）在《电化学沉积法制备CdTe半导体薄膜及其性能研究》文中进行了进一步梳理随着能源危机和环境污染问题日益加剧，对太阳能电池的关注越来越多。提高转化效率和降低成本仍是光伏行业面临的两大难题。寻求成本低廉、稳定性好、具有较高光电转化效率的太阳能电池工艺技术是研发低成本太阳能电池的重要途径。CdTe多晶薄膜具有直接带隙结构，禁带宽度与太阳光谱十分匹配，吸收系数高，电池的转换效率理论值为28％-30%，是公认的高效、稳定、廉价的薄膜光伏器件材料。电化学沉积技术工艺简单、设备投资小、能源消耗低、大面积制造容易，在降低成本方面潜力巨大。目前电沉积CdTe薄膜大多采用强酸性溶液体系，沉积速率低，对设备要求高。本研究采用一种新的碱性溶液体系电化学沉积CdTe薄膜，探索薄膜的电化学沉积机理以及工艺参数对薄膜结构与性质的影响。研究中首先采用化学水浴法在FTO和ITO导电基底上制备CdS多晶薄膜。通过优化溶液pH、温度以及退火条件获得适用于后续电化学沉积CdTe薄膜的CdS基底；采用NTA作为络合剂配制碱性溶液，采用循环伏安法分析溶液的电化学特性，采用三电极体系和平流方法在CdS基底上沉积CdTe薄膜。利用XRD、FESEM表征了CdS和CdTe薄膜的结构和形貌；利用紫外-可见分光光度计、交流阻抗测试技术表征了CdS和CdTe半导体薄膜的光学和电学性能。分析了光照激发、沉积电位、退火处理对CdTe薄膜组成、结构和性质的影响，在此基础上提出碱性溶液中沉积CdTe薄膜的电化学机制。CBD制备CdS薄膜的研究发现，随溶液pH升高，成膜速率先增大后减小；随温度升高，反应速率加快，成核密度增大，晶粒减小。最优化CdS薄膜的生长条件为，2.5mMCd（COOH）2，25mM NH4COOH，12mM SC（NH2）2，pH=10，沉积温度为85℃，生长60min的CdS薄膜厚度为100nm，晶体结构为立方相，CdCl2退火促进CdS薄膜从从立方相向六方相转变。碱性电解质体系的电化学特性表明，电沉积CdTe半导体薄膜的电压范围为-0.6V—-1.2V，在这个电位区间内随着电位的降低沉积速率加快，获得的CdTe薄膜Te/Cd逐渐降低。光照激发提高了电化学制备CdTe半导体薄膜的沉积速率，沉积电流密度从0.07mA/cm2提高到了0.28mA/cm2，同时还提高了CdTe薄膜的结晶度。Mott-Schottky测试证实，碱性溶液电沉积制备的CdTe薄膜是p型半导体，明显不同于酸性电解质体系制备的n型CdTe半导体薄膜；沉积的CdTe薄膜退火后，呈随机取向的晶体结构，结晶度增强，晶粒长大，经过CdCl2处理的CdTe薄膜退火之后（220）晶面的衍射峰强度超过了（111）晶面衍射峰强度，随机取向程度更大。基于上述结果建立了CdTe/半导体溶液界面能级结构图，揭示出光照的作用是在p型CdTe半导体中产生光生电子-空穴对，在阴极沉积电位作用下的界面空间电荷耗尽区，加速电子向溶液转移，被表面态俘获，促进了电解质溶液中氧化态到还原态的转变，提高了其电沉积速率。
李倩[10]（2014）在《电化学沉积法制备CdTe/CdS薄膜太阳能电池及性能研究》文中进行了进一步梳理能源是当今社会发展水平的标志，而太阳能来源无穷无尽，具有稳定性和很高的安全保障性，比其他可再生能源在技术方面有更大的潜力，充分说明太阳能是未来能源的主力之一。而太阳能利用中，除了光热利用外，最主要思路是光伏发电，通过P-型和N-型半导体材料的复合，在其界面上形成P-N结，促使光生电子-空穴对有效分离，因此，不同性质的半导体材料得到了各个科研小组的广泛研究。碲化镉（CdTe）是一种P型半导体材料，室温下禁带宽度为1.45eV，属直接跃迁型能带结构，很接近太阳能电池需要的最优能隙，吸收系数大，可以有效吸收可见光能量，具有很高的理论转换效率（28%），因此成为制备高效率，低成本的多晶薄膜太阳能电池的理想的吸收层材料。硫化镉（CdS）是一种非常重要的直接带隙太阳电池材料。CdS薄膜带隙较宽，为2.42eV，吸收系数较高，为104～105cm-1，它的电子亲和势为4.5eV，和二氧化锡（SnO2）接近，能和SnO2形成良好的欧姆接触。CdS多晶薄膜在异质结太阳电池中是一种很重要的n型窗口材料。CdTe薄膜太阳电池通常以碲化镉/硫化镉（CdTe/CdS）异质结为基础，尽管CdS和CdTe晶格常数相差约10%，但它们组成的异质结电学性能优良。CdTe/CdS薄膜太阳能电池是薄膜太阳能电池中发展较快的一种光伏器件，相比于硅太阳能电池，CdTe/CdS薄膜太阳能电池有着很大的挖掘潜力，并且其制造成本显着降低。以往的CdTe太阳电池的制作方法主要有磁控溅射、近程蒸发、热蒸发、化学沉积等，鉴于改善CdTe薄膜太阳能电池的性能和有效降低CdTe薄膜太阳能电池的工艺成本，以利于实现低成本规模化生产，这需要进行CdTe太阳能电池的新型结构设计和新的制备方法研究。电沉积方法操作简单，成本低廉，容易控制，十分适合于大面积、成膜均匀致密的半导体薄膜材料的制备，易于实现大规模生产。本文中，我们以镍片为基底，采用电化学沉积方法在其表面制备CdTe薄膜，研究了不同电沉积条件对CdTe薄膜形貌及性能的影响，接着采用电化学沉积法在其表面生长CdS薄膜，最后组装成整体的CdTe/CdS复合薄膜光电池模块，对其性能进行了研究。主要工作如下：（1）以镍片为基底，采用硫酸镉、亚碲酸钠的酸性溶液体系合成了不同形貌的CdTe薄膜，在-0.50V沉积电位下在镍片上沉积制备出了均匀、致密、结晶性好的CdTe纳米棒阵列。在-0.75V沉积电位下制备了菜花状CdTe阵列薄膜。所制备的CdTe均为闪锌矿结构，沿[111]方向择优生长，两种形貌薄膜所构成的光电化学电池的光电转换效率分别为0.32%及0.61%。同时发现改变沉积电位能够调整CdTe化合物的元素比例及在一定范围内调节所沉积CdTe的带隙。在电解液中加入适量的阳离子表面活性剂CTAB可以制备出整体质地致密、平整的闪锌矿型CdTe薄膜。发现CTAB在电沉积过程中对CdTe薄膜的元素比例调控起到很重要的作用，并分析了其作用机理。（2）首次采用电化学沉积法，以硫酸镉、硫代硫酸钠与柠檬酸的电解液体系在所得CdTe薄膜的表面沉积生长了CdS薄膜。并对各种反应条件对薄膜的元素比例、形貌特征、晶体结构与取向、晶体质量等的影响进行了研究。发现电解液中柠檬酸的存在有利于获得平整致密的CdS层，通过改变沉积电位可以调节所沉积CdS薄膜的元素组分，对于获得n-CdS薄膜的最佳沉积电位为-0.9V。所得CdS薄膜为纤锌矿结构，都具有[002]的择优取向，且[002]方向延薄膜法线方向。（3）制备了镍箔/Ni2.86Te2/p-CdTe/n-CdS/CdS:In/ITO结构的CdTe/CdS薄膜太阳能电池模块。我们将在空气中CdCl2热处理与热蒸发沉积生长SnO2透明导电薄膜同时进行，发现电池模块的效率随着热处理温度的提高而提升，综合最优的热处理温度为450℃。所得电池效率为3.0%。通过热蒸发氯化亚锡和氯化铟混合物，在CdS表面沉积生长出了In掺杂SnO2透明导电薄膜。所得电池模块的光电效率达到5.05%，显着高于SnO2透明导电薄膜的情况。其原因在于In的掺杂形成了SnO2:In，提高了薄膜的电导率，同时In掺杂到CdS中形成了低阻CdS:In层，从而提高了对分离电荷的收集效率。本文提出的镍箔/Ni2.86Te2/p-CdTe/n-CdS/CdS:In/ITO结构CdTe/CdS太阳能电池，是一种新颖的和制备方法简捷的太阳能电池。通过进一步优化制备参量尚有很大的效率提升空间。
二、CdCl_2气相退火对CdTe/CdS太阳能电池的影响（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、CdCl_2气相退火对CdTe/CdS太阳能电池的影响（论文提纲范文）
（1）ZnO/CdS纳米阵列制备及CdTe复合调控光催化性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 半导体光解水制氢原理 |
| 1.2.1 光解水制氢的热力学反应定律 |
| 1.2.2 光催化剂材料的选择及分类 |
| 1.3 ZnO的基本性质及晶体结构 |
| 1.3.1 ZnO的基本性质 |
| 1.3.2 ZnO的晶体结构 |
| 1.4 CdS的基本性质 |
| 1.5 CdTe的基本性质与应用 |
| 1.5.1 CdTe的基本性质与结构 |
| 1.5.2 CdTe在太阳能电池方面的应用 |
| 1.6 ZnO/CdS纳米异质结的工作机理 |
| 1.7 CdTe薄膜制备方法 |
| 1.8 电化学沉积法制备CdTe薄膜 |
| 1.9 本课题的提出及研究内容 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 |
| 2.1 实验所用原料与设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 实验方案与试验步骤 |
| 2.2.1 实验方案 |
| 2.2.2 水热法生长ZnO纳米阵列 |
| 2.2.3 化学浴法沉积ZnO/CdS纳米阵列及后处理 |
| 2.2.4 电沉积法在ZnO/CdS纳米异质结上沉积CdTe薄膜 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 测试仪器 |
| 2.3.2 结构表征及性能分析 |
| 第三章 ZnO阵列结构的优化及对ZnO/CdS纳米阵列的光催化性能影响 |
| 3.1 ZnO纳米棒长度对ZnO/CdS光催化制氢效率的影响 |
| 3.2 ZnO纳米棒生长温度对ZnO/CdS纳米阵列薄膜质量的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 ZnO纳米棒表面化学浴沉积CdS配方的优化 |
| 4.1 CdS化学浴沉积溶液的氨水量对ZnO/CdS纳米阵列的影响 |
| 4.2 CBD化学浴沉积时间对ZnO纳米棒耐腐蚀性能的影响 |
| 4.3 CBD溶液浓度对ZnO纳米棒耐腐蚀性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 CdCl_2辅助热处理对ZnO/CdS光解水性能的影响 |
| 5.1 CdCl_2处理后的ZnO/CdS纳米阵列的成分、形貌表征 |
| 5.2 CdCl_2处理后的ZnO/CdS纳米阵列的光学性能 |
| 5.3 CdCl_2处理后的ZnO/CdS纳米阵列的半导体特性 |
| 5.4 CdCl_2处理后的ZnO/CdS纳米阵列的光电性能 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 CdTe复合调控ZnO/CdS纳米阵列光解水的效率 |
| 6.1 碱性电化学沉积CdTe溶液中NTA/Cd~(2+)络合比的影响 |
| 6.2 CdCl_2处理后的ZnO/CdS/CdS_(1-x)Te_x纳米阵列的结构、形貌表征 |
| 6.3 电化学沉积时间对ZnO/CdS/CdS_(1-x)Te_x纳米阵列光学性能的影响 |
| 6.4 电化学沉积时间对ZnO/CdS/CdS_(1-x)Te_x纳米阵列光电性能的影响 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
（2）SnTe缓冲层在CdTe薄膜太阳电池背接触中的应用（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 CdTe薄膜太阳电池研究进展 |
| 1.2.1 CdTe的材料属性 |
| 1.2.2 CdTe薄膜太阳电池的器件结构 |
| 1.2.2.1 CdTe单晶太阳电池器件 |
| 1.2.2.2 CdTe多晶太阳电池器件 |
| 1.2.3 CdTe薄膜太阳电池的基本原理 |
| 1.3 CdTe薄膜太阳电池面临的挑战 |
| 1.3.1 电池背电极势垒的限制 |
| 1.3.2 CdTe载流子浓度及少子寿命的限制 |
| 1.4 电池背电极欧姆接触制备的若干解决方案 |
| 1.5 论文的选题思路和主要研究内容 |
| 第二章 CdTe薄膜太阳电池相关制备工艺 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 透明导电层和高阻层的制备 |
| 2.3 CdS窗口层的制备 |
| 2.4 CdTe吸收层的制备 |
| 2.5 CdTe薄膜的后续处理过程 |
| 2.5.1 CdTe薄膜的CdCl_2处理工艺 |
| 2.5.2 CdTe薄膜的硝酸-磷酸化学刻蚀 |
| 2.6 CdTe薄膜的缓冲层和金属背电极层沉积及退火工艺 |
| 2.7 CdTe太阳电池的激光划线与组件集成互联 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 SnTe薄膜的制备及其性质的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 SnTe的合成 |
| 3.3 SnTe薄膜的制备与物理特性表征 |
| 3.3.1 薄膜制备 |
| 3.3.2 性能表征 |
| 3.3.2.1 XRD分析 |
| 3.3.2.2 SEM以及EDX分析 |
| 3.3.2.3 Hall分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 含SnTe背接触缓冲层的CdTe薄膜太阳电池 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电池制备工艺与背电极能带结构 |
| 4.2.1 电池制备工艺 |
| 4.2.2 背电极能带结构 |
| 4.3 电池性能表征 |
| 4.3.1 SnTe薄膜在CdTe吸收层的成膜质量分析 |
| 4.3.2 暗场和光场J-V特性曲线测试及分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 含ZnTe:Cu/SnTe复合背接触缓冲层的CdTe薄膜太阳电池 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 ZnTe薄膜的制备与性能表征 |
| 5.3 电池制备工艺与背电极能带结构 |
| 5.3.1 电池制备工艺 |
| 5.3.2 背电极能带结构图 |
| 5.4 电池性能表征 |
| 5.4.1 ZnTe薄膜在CdTe薄膜电池中的性能表征 |
| 5.4.2 暗场和光场J-V特性曲线测试及性能分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 C-V法表征CdTe薄膜太阳电池中杂质浓度的分布特性 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 基本原理和分析模型 |
| 6.2.1 基本原理 |
| 6.2.2 分析模型 |
| 6.3 数据测量与计算分析 |
| 6.3.1 载流子浓度 |
| 6.3.2 Sn在器件中的扩散 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 研究工作总结与展望 |
| 7.1 研究工作总结 |
| 7.2 今后工作展望 |
| 参考文献 |
| 硕士期间的研究成果 |
（3）CdTe薄膜的电化学沉积、结构与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳能电池工作原理及相关性能参数 |
| 1.2.1 太阳能电池的工作原理 |
| 1.2.2 太阳能电池的相关性能参数 |
| 1.3 太阳能电池的分类及发展历史 |
| 1.3.1 硅基太阳能电池 |
| 1.3.2 化合物薄膜太阳能电池 |
| 1.3.3 聚合物太阳能电池 |
| 1.4 CdTe太阳能电池的结构 |
| 1.5 CdTe的性质及制备工艺 |
| 1.5.1 CdTe的性质 |
| 1.5.2 CdTe的制备方法 |
| 1.6 电化学沉积制备CdTe薄膜的原理及发展 |
| 1.7 本文的主要研究内容 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.2 实验方案与实验步骤 |
| 2.2.1 实验方案 |
| 2.2.2 实验步骤 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 测试仪器 |
| 2.3.2 测试方法 |
| 第三章 CdS薄膜中残留Cl对其结构与性能的影响 |
| 3.1 CdS薄膜中Cl残留对其结构影响 |
| 3.2 CdS薄膜中Cl残留对其性能影响 |
| 3.3 CdS薄膜中Cl残留对组装电池的性能影响 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 CdTe薄膜的电沉积及影响因素 |
| 4.1 电解质溶液中的Cl对沉积的CdTe薄膜结构的影响 |
| 4.2 电解质溶液中Cl的引入对CdTe薄膜电沉积机制的影响 |
| 4.3 沉积电位对两种溶液体系下所制备CdTe薄膜结构的影响 |
| 4.4 退火对两种溶液体系下所制备的CdTe薄膜结构性能的影响 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 退火方式对CdTe薄膜结构性能的影响 |
| 5.1 退火方式对CdTe薄膜太阳能电池结构的影响 |
| 5.2 退火方式对CdTe薄膜太阳能电池性能的影响 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 背接触层处理对CdTe薄膜太阳能电池性能的影响 |
| 6.1 CdTe层的酸腐时间对CdTe薄膜太阳能电池性能的影响 |
| 6.2 背接触层退火温度对CdTe薄膜太阳能电池性能的影响 |
| 6.3 Cu层厚度对CdTe薄膜太阳能电池性能的影响 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
（4）硒化锑薄膜太阳能电池：N型缓冲层和背场研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳能电池 |
| 1.3 新型的无机化合物薄膜太阳能电池简介 |
| 1.4 Sb_2Se_3薄膜太阳能电池 |
| 1.5 本论文主要研究内容 |
| 2 薄膜太阳能电池的制备及其主要的表征 |
| 2.1 薄膜制备 |
| 2.2 金属电极蒸渡 |
| 2.3 材料表征 |
| 2.4 性能表征 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 CdS/Sb_2Se_3薄膜太阳能电池 |
| 3.1 N型缓冲层CdS简介 |
| 3.2 CdCl_2修饰CdS表面 |
| 3.3 处理前后的器件性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 PbS量子点作为Sb_2Se_3薄膜太阳能电池的空穴收集层研究 |
| 4.1 SCAPS软件模拟空穴收集层在Sb_2Se_3电池中的重要性 |
| 4.2 选择PbS量子点作为空穴收集层 |
| 4.3 CdS/Sb_2Se_3/PbS薄膜太阳能电池器件 |
| 4.4 非Pb基量子点作为背场 |
| 4.5 溶液法处理Sb_2Se_3薄膜及其器件性能 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 ZnO/Sb_2Se_3薄膜太阳能电池 |
| 5.1 ZnO缓冲层 |
| 5.2 喷雾热解法制备 |
| 5.3 ZnO的取向诱导Sb_2Se_3的取向 |
| 5.4 不同取向ZnO/Sb_2Se_3器件对比 |
| 5.5 r-ZnO/Sb_2Se_3器件性能优化 |
| 5.6 器件稳定性测试与分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 研究内容总结 |
| 6.2 主要创新点 |
| 6.3 对进一步研究的展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文 |
（5）CdTe/CdS异质结的电化学制备及其光电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太阳电池研究背景 |
| 1.2 CdTe薄膜太阳电池的结构 |
| 1.2.1 CdS薄膜制备方法 |
| 1.2.2 CdTe薄膜制备方法及研究进展 |
| 1.2.3 背电极 |
| 1.3 纳米线(棒)阵列异质结太阳电池 |
| 1.3.1 纳米线(棒)阵列异质结特点 |
| 1.3.2 Si纳米线太阳电池 |
| 1.3.3 CdTe/CdS纳米线太阳电池 |
| 1.4 论文研究的意义 |
| 1.5 主要研究内容和技术路线 |
| 1.5.1 主要研究内容 |
| 1.5.2 技术路线 |
| 第二章 实验条件及主要测试方法 |
| 2.1 实验试剂与仪器设备 |
| 2.2 材料形貌、结构及原子组成表征方法 |
| 2.2.1 场发射扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS) |
| 2.2.2 高分辨透射电子显微镜(HR-TEM) |
| 2.2.3 X射线衍射仪(XRD) |
| 2.2.4 拉曼光谱仪(Raman) |
| 2.2.5 X射线光电子能谱仪(XPS) |
| 2.3 材料光电性质表征方法 |
| 2.3.1 紫外-可见分光光度计(UV-vis) |
| 2.3.2 霍尔效应仪(Hall) |
| 2.3.3 太阳能模拟器 |
| 2.3.4 Keithley 2420 |
| 2.4 太阳电池伏安特性曲线及评价指标 |
| 第三章 CdS纳米薄膜的电沉积制备和表征 |
| 3.1 CdS纳米薄膜的电沉积工艺条件 |
| 3.2 CdS薄膜的恒电流法制备及表征 |
| 3.2.1 沉积电流的选择 |
| 3.2.2 沉积温度对CdS薄膜的影响 |
| 3.2.3 退火温度对CdS薄膜的影响 |
| 3.3 CdS薄膜的光学性质研究 |
| 3.4 CdS薄膜的电学性质研究 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 CdTe/CdS二维异质结的电沉积制备及其光电性能研究 |
| 4.1 CdTe/CdS二维异质结的电沉积工艺条件 |
| 4.2 CdTe/CdS二维异质结的恒电位法制备及表征 |
| 4.2.1 沉积电位的选择 |
| 4.2.2 沉积时间对CdTe薄膜的影响 |
| 4.3 碳纳米管薄膜背电极的组装 |
| 4.3.1 碳纳米管薄膜的表征 |
| 4.3.2 碳纳米管薄膜的纯化、铺展及转移 |
| 4.4 CdTe/CdS二维异质结太阳电池的光电性能研究 |
| 4.4.1 光学性质研究 |
| 4.4.2 太阳电池的组装模型及能带图 |
| 4.4.3 太阳电池的光电性能研究 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 CdS纳米棒阵列的一步水热法制备和表征 |
| 5.1 CdS纳米棒阵列的制备工艺 |
| 5.2 CdS纳米棒阵列的结构、形貌的调控 |
| 5.2.1 ITO导电玻璃放置方向对CdS形貌的影响 |
| 5.2.2 还原谷胱甘肽的浓度对CdS形貌的影响 |
| 5.2.3 反应温度对CdS形貌的影响 |
| 5.2.4 硫脲浓度的优化 |
| 5.2.5 反应时间对CdS形貌的影响 |
| 5.2.6 前驱体浓度对CdS纳米棒密度的影响 |
| 5.2.7 退火对CdS纳米棒结构和成分的影响 |
| 5.3 CdS纳米棒阵列光学性质的研究 |
| 5.4 CdS纳米棒阵列电学性质的研究 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结的电沉积制备及其光电性能研究 |
| 6.1 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结的电沉积工艺条件 |
| 6.2 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结的结构、形貌的调控 |
| 6.2.1 沉积电位的选择 |
| 6.2.2 沉积温度对CdTe薄膜的影响 |
| 6.2.3 沉积时间对CdTe/CdS异质结形貌的影响 |
| 6.3 CdCl_2热处理对CdTe表面状态的影响 |
| 6.4 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结太阳电池的光电性质研究 |
| 6.4.1 光学性质研究 |
| 6.4.2 太阳电池的组装模型 |
| 6.4.3 太阳电池的光电性能研究 |
| 6.5 CdTe/CdS二维异质结和三维纳米棒阵列异质结太阳电池的光电性质比较 |
| 6.6 小结 |
| 第七章 总结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 研究成果及发表的学术论文 |
| 作者与导师简介 |
| 附件 |
（6）碲化镍薄膜的制备及其在碲化镉光电池中的应用（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳能电池基础 |
| 1.2.1 太阳能电池发展简介 |
| 1.2.2 太阳能电池的工作原理和性能参数 |
| 1.3 太阳能电池的分类 |
| 1.3.1 硅基太阳能电池 |
| 1.3.2 光电化学太阳能电池 |
| 1.3.3 化合物太阳能电池 |
| 1.4 本论文的选题背景和主要研究内容 |
| 1.4.1 选题背景 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 第二章 电化学沉积方法制备Te纳米结构薄膜 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂和仪器设备 |
| 2.2.2 实验方法 |
| 2.2.2.1 衬底的清洗处理 |
| 2.2.2.2 实验过程 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 薄膜形成过程 |
| 2.3.2 X射线衍射（XRD）分析 |
| 2.3.3 形貌分析 |
| 2.3.4 光吸收性能分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 NiTe薄膜的制备及其电学性质研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂和仪器设备 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.3 NiTe薄膜的表征 |
| 3.3.1 退火温度对NixTe晶体结构的影响 |
| 3.3.2 NixTe的形貌及电学性质 |
| 3.4 Te薄膜向NiTe薄膜转化的反应机制 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 NiTe背接触层在CdTe薄膜光电池中的应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ni/NiTe/CdTe复合薄膜的制备 |
| 4.3 衬底温度对CdTe薄膜晶体的结构及性质的影响 |
| 4.3.1 X射线衍射（XRD）分析 |
| 4.3.2 形貌分析 |
| 4.3.3 光吸收性能分析 |
| 4.3.4 光电性质分析 |
| 4.4 预沉积Te层对磁控溅射CdTe薄膜的结构及性质的影响 |
| 4.4.1 X射线衍射（XRD）分析 |
| 4.4.2 形貌分析 |
| 4.4.3 光吸收性能分析 |
| 4.4.4 光电性质分析 |
| 4.5 CdTe/CdS薄膜光电池模块的组装及光电性能研究 |
| 4.5.1 Ni/NiTe/CdTe/CdS复合薄膜的制备 |
| 4.5.1.1 CdTe薄膜的制备 |
| 4.5.1.2 CdS薄膜的制备 |
| 4.5.2 Ni/NiTe/CdTe/CdS复合薄膜的表征 |
| 4.5.2.1 X射线衍射（XRD）分析 |
| 4.5.2.2 形貌分析 |
| 4.5.2.3 光吸收性能分析 |
| 4.5.2.4 CdCl_2处理 |
| 4.5.3 CdTe/CdS薄膜光电池模块的组装 |
| 4.5.3.1 ITO收集电极的制备 |
| 4.5.3.2 CdTe/CdS薄膜光电池模块的组装 |
| 4.5.3.3 CdTe/CdS薄膜光电池模块的光电性能 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（7）CdS/CdTe薄膜太阳能电池相关材料及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太阳能电池的研究背景 |
| 1.2 太阳能电池的基本原理 |
| 1.3 太阳能电池的分类 |
| 1.3.1 块状太阳能电池 |
| 1.3.2 薄膜太阳能电池 |
| 1.4 硫化镉(CdS)和碲化镉(CdTe)的结构性质 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 第二章 CdS 薄膜的制备和表征方法 |
| 2.1 薄膜的制备方法 |
| 2.2 CdS 薄膜的制备 |
| 2.2.1 化学水浴法制备硫化镉薄膜的反应机理 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 实验所需药品 |
| 2.2.4 实验过程 |
| 2.3 薄膜的表征形式 |
| 2.3.1 X 射线衍射（XRD） |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） |
| 2.3.4 紫外可见分光光度计(UV) |
| 2.3.5 台阶仪 |
| 2.3.6 电化学工作站和氙灯 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 CdS 薄膜在不同工艺条件下的制备与表征 |
| 3.1 沉积时间对 CdS 薄膜的结构和性能的影响 |
| 3.1.1 不同沉积时间下 CdS 薄膜的 XRD |
| 3.1.2 不同沉积时间下 CdS 薄膜的 SEM |
| 3.1.3 不同沉积时间下 CdS 薄膜的光学特性 |
| 3.1.4 不同沉积时间下制备的 CdS 薄膜的 hv-(ahv)~2的关系曲线 |
| 3.1.5 不同沉积时间下 CdS 薄膜的厚度分析 |
| 3.2 沉积温度对 CdS 薄膜的结构和性能的影响 |
| 3.2.1 不同沉积温度下 CdS 薄膜的 XRD |
| 3.2.2 不同沉积温度下 CdS 薄膜的 SEM |
| 3.2.3 不同沉积温度下 CdS 薄膜的光学特性 |
| 3.2.4 不同沉积温度下 CdS 薄膜的厚度 |
| 3.3 反应溶液 pH 值对 CdS 薄膜的结构和性能的影响 |
| 3.3.1 不同溶液 pH 值下制备 CdS 薄膜的 XRD |
| 3.3.2 不同溶液 pH 值下制备 CdS 薄膜的 SEM |
| 3.3.3 不同溶液 pH 值下制备 CdS 薄膜的光学特性 |
| 3.4 CdCl_2预处理对 CdS 薄膜的结构和性能的影响 |
| 3.4.1 CdCl_2预处理方法对 CdS 薄膜影响的 XRD |
| 3.4.2 CdCl_2预处理方法对 CdS 薄膜影响的 SEM |
| 3.4.3 CdCl_2预处理方法对 CdS 薄膜的光学特性影响 |
| 3.5 不同退火温度对 CdS 薄膜的结构和性能的影响 |
| 3.5.1 不同退火温度处理的 CdS 薄膜的 XRD |
| 3.5.2 不同退火温度处理的 CdS 薄膜的 SEM |
| 3.5.3 不同退火温度处理的 CdS 薄膜的光学特性 |
| 3.6 CdS 薄膜的霍尔系数测量 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 不同工艺条件下 CdTe 薄膜的制备与表征 |
| 4.1 CdTe 薄膜的制备 |
| 4.2 沉积电位与 CdTe 薄膜的关系 |
| 4.2.1 不同沉积电位下 CdTe 薄膜的 XRD |
| 4.2.2 不同沉积电位下 CdTe 薄膜的 AFM |
| 4.2.3 不同沉积电位下 CdTe 薄膜的光学性质 |
| 4.3 CdCl_2热处理对 CdTe 薄膜的影响 |
| 4.3.1 不同热处理的 CdTe 薄膜的 XRD |
| 4.3.2 不同热处理的 CdTe 薄膜的 AFM |
| 4.3.3 不同热处理条件下 CdTe 薄膜的导电类 |
| 4.4 CdTe 薄膜的电学性质 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 CdS/CdTe 太阳能电池的制备及电池性能测试 |
| 5.1 新型 CdS/CdTe 太阳能电池的结构 |
| 5.2 CdS/CdTe 太阳能电池的电池性能测试 |
| 5.2.1 两种结构的 CdS/CdTe 太阳电池的性能比较 |
| 5.2.2 不同条件制备的 CdS 和 CdTe 复合的电池的性能比较 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（8）硫化镉/硅多界面纳米异质结光电特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 II-VI 族化合物半导体纳米材料的研究进展 |
| §1.1.1 II-VI 族化合物半导体纳米材料 |
| §1.1.2 II-VI 族三元化合物半导体 |
| §1.1.3 II-VI 族化合物半导体的掺杂 |
| §1.1.4 II-VI 族化合物半导体纳米材料的问题 |
| §1.2 Si 基 II-VI 族化合物半导体结构 |
| §1.3 基于 Si-NPA 的复合体系 |
| §1.3.1 Si-NPA 的结构及性能 |
| §1.3.2 基于 Si-NPA 的纳米异质结构 |
| §1.4 本课题的研究思路和内容 |
| 第一章 参考文献 |
| 第二章 CdS/Si 多界面纳米异质结的制备和结构表征 |
| §2.1 引言 |
| §2.2 Si-NPA 的制备、结构表征 |
| §2.3 CdS/Si 多界面纳米异质结的制备与表征 |
| §2.3.1 CdS/Si 多界面纳米异质结的制备 |
| §2.3.2 退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结结构的影响 |
| §2.3.3 沉积时间对 CdS/Si 多界面纳米异质结结构的影响 |
| §2.3.4 CdS/Si 多界面纳米异质结的 Raman 光谱 |
| §2.4 小结 |
| 第二章 参考文献 |
| 第三章 CdS/Si 多界面纳米异质结的光致发光特性 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 Si-NPA 的光致发光特性 |
| §3.2.1 Si-NPA 的室温光致发光特性研究 |
| §3.2.2 Si-NPA 光致发光的变温特性 |
| §3.3 CdS/Si 多界面纳米异质结的光致发光特性 |
| §3.3.1 CdS/Si 多界面纳米异质结的室温光致发光特性 |
| §3.3.1.1 退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结光致发光特性的影响 |
| §3.3.1.2 沉积时间对 CdS/Si-NPA 光致发光特性的影响 |
| §3.3.2 CdS/Si 多界面纳米异质结的变温光致发光特性 |
| §3.4 小结 |
| 第三章 参考文献 |
| 第四章 CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性和电致发光 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性 |
| §4.2.1 电极的制备 |
| §4.2.2 CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性及机制 |
| §4.3 CdS/Si 多界面纳米异质结的电致发光特性 |
| §4.4 小结 |
| 第四章 参考文献 |
| 第五章 CdS/Si 多界面纳米异质结的光伏特性 |
| §5.1 引言 |
| §5.2 退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结光伏特性的影响 |
| §5.3 沉积时间对 CdS/Si 多界面纳米异质结光伏特性的影响 |
| §5.4 Si-NPA 衬底退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结光伏特性的影响 |
| §5.5 小结 |
| 第五章 参考文献 |
| 第六章 结论与展望 |
| 1、CdS/Si 多界面纳米异质结的制备和表征 |
| 2、CdS/Si 多界面纳米异质结的室温和变温光致发光特性 |
| 3、CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性和电致发光 |
| 4、CdS/Si 多界面纳米异质结的光伏特性 |
| 博士期间完成的论文 |
| 致谢 |
（9）电化学沉积法制备CdTe半导体薄膜及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 太阳能电池基础 |
| 1.2.1 太阳能电池基本原理 |
| 1.2.2 太阳能电池相关性能参数 |
| 1.3 CdTe 太阳能电池结构 |
| 1.4 化学水浴法制备 CdS |
| 1.5 CdTe 的性质及制备工艺 |
| 1.5.1 CdTe 的结构与性质 |
| 1.5.2 CdTe 薄膜的制备工艺 |
| 1.6 电化学沉积法制备 CdTe |
| 1.7 CdTe 电池对环境的影响 |
| 1.8 课题的提出及研究内容 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 |
| 2.1 实验所用原料与设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.2 实验方案与实验步骤 |
| 2.2.1 实验方案 |
| 2.2.2 实验步骤 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 测试仪器 |
| 2.3.2 测试方法 |
| 第三章 CdS 薄膜的制备及性能表征 |
| 3.1 pH 值的影响 |
| 3.2 温度对 CdS 薄膜形貌和结构的影响 |
| 3.3 CdS 薄膜生长速率的线性拟合 |
| 3.4 退火对 CdS 结构和形貌的影响 |
| 3.4.1 退火对 CdS 晶体结构的影响 |
| 3.4.2 退火对 CdS 形貌的影响 |
| 3.4.3 退火对 CdS 光学性能的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 CdTe 薄膜的制备及性能 |
| 4.1 CdTe 沉积液中络合剂的选择 |
| 4.2 电解质的电化学特性 |
| 4.3 光照对电化学沉积的影响 |
| 4.4 溶液性质对 CdTe 导电性的影响 |
| 4.5 光照激发电沉积 CdTe 机理 |
| 4.6 光照对 CdTe 晶体结构的影响 |
| 4.7 沉积电位对 CdTe 薄膜组成的影响 |
| 4.8 退火处理对 CdTe 晶体结构的影响 |
| 4.9 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
（10）电化学沉积法制备CdTe/CdS薄膜太阳能电池及性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳能光伏发电研究历史 |
| 1.3 太阳电池的工作原理和性能参数 |
| 1.3.1 p-n 结 |
| 1.3.2 光生伏特效应 |
| 1.3.3 太阳电池的基本工作原理 |
| 1.3.4 太阳电池等效电路 |
| 1.3.5 太阳电池的主要技术参数 |
| 1.4 太阳能电池的分类 |
| 1.4.1 硅太阳电池 |
| 1.4.2 薄膜太阳电池 |
| 1.4.2.1 非晶硅太阳电池 |
| 1.4.2.2 铜铟镓硒（CIGS）太阳电池 |
| 1.4.2.3 碲化镉（CdTe）太阳电池 |
| 1.4.2.4 染料敏化（Dye-sensitized）太阳电池 |
| 1.6 本论文的选题背景及意义 |
| 1.6.1 本课题的提出 |
| 1.6.2 本论文的主要研究工作 |
| 第二章 CdTe 纳米薄膜的电沉积制备研究及其性能 |
| 2.1 引言 |
| 2.1.1 前言 |
| 2.1.2 电化学沉积的基本理论及影响因素 |
| 2.1.3 CdTe 薄膜的沉积原理 |
| 2.2 CdTe 纳米棒阵列的制备及性质 |
| 2.2.1 实验部分 |
| 2.2.1.1 实验仪器与实验试剂 |
| 2.2.1.2 CdTe 纳米棒阵列的制备 |
| 2.2.2 电解液中的电化学行为分析 |
| 2.2.3 实验结果与表征 |
| 2.3.3.1 X 射线衍射与 EDS 图谱分析 |
| 2.3.3.2 场发射扫描电镜（FESEM）分析 |
| 2.3.3.3 光吸收特性分析 |
| 2.3.3.4 光电化学性质分析 |
| 2.3 CdTe 菜花状阵列的制备及性质 |
| 2.3.1 实验部分 |
| 2.3.2 电解液中的电化学行为分析 |
| 2.3.3 实验结果与表征 |
| 2.3.3.1 X 射线衍射与 EDS 图谱分析 |
| 2.3.3.2 场发射扫描电镜 FESEM 分析 |
| 2.3.3.3 光吸收特性分析 |
| 2.3.3.4 光电性质分析 |
| 2.4 CTAB 辅助电沉积制备 CdTe 薄膜及其性能 |
| 2.4.1 实验部分 |
| 2.4.2 CTAB 浓度对 CdTe 薄膜晶体结构及成分的影响 |
| 2.4.3 CTAB 浓度对 CdTe 薄膜形貌的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 CdTe/CdS 复合薄膜的电沉积制备及其性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 前言 |
| 3.1.2 CdS 薄膜的沉积原理 |
| 3.2 电沉积法制备 CdS 薄膜及性能研究 |
| 3.2.1 实验部分 |
| 3.2.2 实验条件对 CdTe/CdS 复合薄膜的影响研究 |
| 3.2.2.1 沉积电压对 CdS 薄膜的影响 |
| 3.2.2.2 沉积温度对 CdS 薄膜的影响 |
| 3.2.2.3 柠檬酸浓度对 CdTe/CdS 复合薄膜的影响 |
| 3.3 p-CdTe/n-CdS 薄膜的后处理研究 |
| 3.3.1 CdCl_2热处理的实验方法 |
| 3.3.2 热处理温度对 CdTe/CdS 复合薄膜的晶体质量影响 |
| 3.3.3 热处理温度对 CdTe/CdS 复合薄膜的形貌影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 CdTe/CdS 多晶薄膜太阳能电池模块制备及其光电性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 CdTe/CdS 太阳能电池的模块制备及性能研究 |
| 4.2.1 相关基础理论 |
| 4.2.1.1 背电极与背接触层 |
| 4.2.1.2 透明导电层 |
| 4.2.2 CdTe/CdS 太阳能电池的制备流程和表征 |
| 4.2.2.1 实验过程 |
| 4.2.2.2 CdTe/CdS 太阳能电池模块的光电性能 |
| 4.2.3 铟掺杂 SnO2透明导电层的制备研究 |
| 4.2.3.1 铟在 CdTe/CdS 薄膜电池中的作用 |
| 4.2.3.2 铟掺杂透明导电层实验方法 |
| 4.2.3.3 铟掺杂透明导电层对电池性能的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、CdCl_2气相退火对CdTe/CdS太阳能电池的影响（论文参考文献）
- [1]ZnO/CdS纳米阵列制备及CdTe复合调控光催化性能的研究[D]. 陈文文. 济南大学, 2019(01)
- [2]SnTe缓冲层在CdTe薄膜太阳电池背接触中的应用[D]. 翁泽平. 浙江大学, 2018(07)
- [3]CdTe薄膜的电化学沉积、结构与性能研究[D]. 冯凯. 济南大学, 2017(03)
- [4]硒化锑薄膜太阳能电池：N型缓冲层和背场研究[D]. 王亮. 华中科技大学, 2017(10)
- [5]CdTe/CdS异质结的电化学制备及其光电性能研究[D]. 郭宝库. 北京化工大学, 2015(03)
- [6]碲化镍薄膜的制备及其在碲化镉光电池中的应用[D]. 牟艳男. 吉林大学, 2015(08)
- [7]CdS/CdTe薄膜太阳能电池相关材料及性能研究[D]. 詹红. 苏州科技学院, 2014(03)
- [8]硫化镉/硅多界面纳米异质结光电特性研究[D]. 李勇. 郑州大学, 2014(02)
- [9]电化学沉积法制备CdTe半导体薄膜及其性能研究[D]. 陈晓东. 济南大学, 2014(01)
- [10]电化学沉积法制备CdTe/CdS薄膜太阳能电池及性能研究[D]. 李倩. 吉林大学, 2014(01)