问：集成电路工程的学位论文
- 答：工程硕士的学位论文的选题可以直接来源于生产实际或具有明确的生产背景和应用价值。学位论文选题应具有一定的先进性和技术难度，能体现工程硕士研究生综合运用源游科学理论、方法和技术手段解决巧丛工程实际问题的能力。学位论文选题可以是一个完整的集成电路工程项目，可以是工程技术研究专题，也可以是新工艺、新设备、新材料、集成电路与系统芯片新产品的研制与开发。
学位论文应包括：课题意义的说明、国内外动态孝裂樱、设计方案的比较与评估、需要解决的主要问题和途径、本人在课题中所做的工作、理论分析、设计计算书、测试装置和试验手段、计算程序、试验数据处理、必要的图纸、图表曲线与结论、结果的技术和经济效果分析、所引用的参考文献等，与他人合作或前人基础上继续进行的课题，必须在论文中明确指出本人所做的工作。
问：半导体扩散工艺是什么
- 答：扩散技术目的在于控制半导体中裂侍特定区域内杂质的类型、浓度、深度和。在集成电路发
展肆银吵初期是生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。搏猛
1 扩散机构
2 替位式扩散机构
这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。
3． 填隙式扩散机构
这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等等是此种方式
在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，但是仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。
4磷掺杂
由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。
5多晶掺杂
向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因 - 答：半导体扩散工艺宴基。扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发
展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。
3．1 扩散机构
3．1．1 替位式扩散机构
这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂迟稿质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。
3．1．2 填隙式扩散机构
这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式。由于CMOS是由PMOS和NMOS组成，因此需要在一种衬底上制造出另一种型号的衬底,才可以在一种型号的硅片上同时制造出N管、P管，在选择注入后的推阱工艺就可以在硅片上制出P阱、N阱；由于推阱一般需要有一定的结深，而杂质在高温下的扩散速率较大，因此推阱工艺往往需要在较高的温度（1150C）下进行，以缩短工艺时间，提高硅片的产出率。 阱电阻：用来监控推阱后N（或P）阱电阻的大小，阱电阻的大小会对制作在N（或P）阱里的晶体晌旦谨管的栅开启电压及击穿电压造成直接影响；但电阻控制片的制作由于有一定的制作流程，因此电阻有时会受制备工艺的影响。 - 答：扩散现象是指物质分扒丛差子从高浓度区域向低浓度区域转移 直到均匀分布的现象，速率与物质的浓度梯郑腔度成正比。扩散是由于分子热运动而产生的质量迁移现象，主要是由于密度差引起的。
扩散工艺指的是利用扩散的原理，对各种材料进行某些目的的加工和处理的方法。例如，钢件的表春皮面渗碳法(提高钢件的硬度)、渗铝法(提高钢件的耐热性)，都利用了扩散现象；在半导体工艺中利用扩散法渗入微量的杂质，以达到控制半导体性能的目的。
问：集成电路制造五个步骤
- 答：(1）硅片制备 将从提炼敬孙者并纯凯衡化，形成半导体级的。经过特殊工艺(直拉法和区熔法)将多晶硅制成适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。
(2)芯制造达硅片制造经过清洗、成膜(氧化、淀积)、光刻、刻蚀和掺杂(扩散、子)工艺之后，加工成的硅片具有永久刻蚀在硅片上的完整的集成电路。
(3)掩膜亮薯版制作掩膜版中包括构成芯片的各层图形结构，现在最常用的掩膜版技术是涂敷铬，在石英玻璃掩膜版表面的铬层上形成芯片各层结构图形。带有的镀铬掩膜版在光源下有选择地进行曝光，并经过显影、检查、刻蚀去胶，最终形成预期的图案。这个掩膜版通常为母版，由于掩膜版在使用中会有损伤，一般不作为工作掩膜版用，工作掩膜版是将母版进行翻版复制得到的。
(4)装配与封装芯片造完成后，封装之前芯片要经过测试/拣选进行单个芯片的电学测试，拣选出合格芯片和不合格芯片，并做出标识，合格芯片包装在保护壳体内。在封装之前要经过减薄、划片、裂片、粘片、焊接、包封等一系列工序，最后封装到塑料或陶瓷壳体内，就形成了不同封装类型的集成电路芯片。
(5)终测 为了确保芯片的功能，要对每个被封装的集成电路进行测试，以保证芯片的电学和环境特性参数满足要求，即保证发给用户的芯片是合格芯片。
-华杨沐林塑秋实，科卓海纳立顶峰
