一、退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)（论文文献综述）
张悦[1]（2021）在《新型萘二甲酰亚胺基半导体/绝缘聚合物共混薄膜的制备和电荷输运研究》文中认为有机半导体聚合物具有质量轻、可溶液加工、可塑性好等优点,在有机电子学器件中得到广泛的应用。随着人体可穿戴设备和人造皮肤在物联网领域的快速发展,高性能的透明柔性有机场效应晶体管（OFET）的需求也越来越强烈。同时获得高性能、高透明度、柔性这三种属性有机场效应晶体管很难在单一的有机半导体材料中实现,因此在半导体聚合物中共混绝缘聚合物的方法应运而生。在半导体聚合物中共混绝缘聚合物的方法可以提升OFET的性能,获得高透明度、柔性、价格低廉的共混薄膜OFET器件。人们一般选择透明的绝缘聚合物聚苯乙烯（PS）、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为绝缘聚合物与半导体聚合物共混,利用共混体系中可能存在的相分离和微结构的有利改变使得OFET器件的迁移率成倍的提升,实现高性能透明可拉伸薄膜,甚至用作传感器应用在人体可穿戴设备上。然而,人们对半导体/绝缘聚合物共混薄膜的微结构与其电荷传输性能间的内在关系仍缺乏深入和明确的认识。此外对于半导体/绝缘聚合物共混体系的研究,目前大都选择较为成熟的p型半导体聚合物（如P3HT、DPP2T）,对于n型半导体聚合物和绝缘聚合物共混薄膜的研究还较少。鉴于此,本论文中选用一种新型的萘二甲酰亚胺基n型半导体聚合物FN2200作为研究对象,首先研究其本征特性,再分别和两种绝缘聚合物PS、PDMS共混,研究两种共混体系的电荷传输特性、聚集态程度和微结构,取得以下研究结果。1.采用不同溶剂溶解半导体聚合物FN2200,再用溶液旋涂法制备了有机场效应晶体管器件,研究不同的溶剂条件对FN2200薄膜电荷传输性能的影响。并对不同类型溶液制备的FN2200薄膜的分子聚集态、微结构和形貌进行了分析。发现由甲苯溶液生长的FN2200薄膜具有最高的电子迁移率,原因是其FN2200薄膜的分子聚集程度最强,且采取edge-on堆积的FN2200组分含量最多,这些结构特性有利于有机场效应晶体管的电荷传输有利。此外还研究了器件结构对有机场效应晶体管性能的影响,顶栅器件中CYTOP介电层/半导体层界面处的电子陷阱密度较低,因此可以获得更高的迁移率。通过探究OFET器件的沟道长度对载流子迁移率的影响,发现迁移率随OFET沟道长度的缩短而显着提高。2.针对FN2200/PS共混体系进行电荷输运性能的研究,研究共混薄膜中PS的含量对共混薄膜电荷输运性能的影响,发现在FN2200中共混少量聚苯乙烯PS（10%）使FN2200骨架链倾向于采取edge-on堆积方式,导致共混薄膜的电子迁移率较纯FN2200薄膜提升了近2倍。而共混大量的PS使得共混薄膜的迁移率显着降低。微结构测量表明,这是由于共混薄膜中FN2200与PS形成相分离结构,引起FN2200组分富集在薄膜表面所致。此外还研究了绝缘聚合物PS的分子量对共混薄膜电荷输运性能的影响,发现降低PS的分子量至10,000 Da,无论共混薄膜中共混PS的含量是多少,都不会有OFET器件性能的提升。这可能与小分子量PS和FN2200共混形成一种特殊的薄膜微结构相关。最后研究了小分子添加剂DIO对共混薄膜电荷输运性能的影响,发现DIO会选择性地增强半导体分子的聚集程度,从而对共混薄膜的电荷输运性能产生有利影响。3.通过在半导体聚合物FN2200中共混高浓度的弹性体PDMS材料来制备共混薄膜OFET器件,实现了薄膜电荷传输性能和透明度的提升,并降低了器件制作成本。根据紫外可见吸收光谱测试发现,PDMS的加入引起FN2200分子聚集程度的显着增强,对电荷传输产生有利的影响。由于FN2200和PDMS表面能的巨大差异,共混薄膜形成垂直相分离,使得PDMS偏析在薄膜表面,这起到隔绝大气中水和氧的作用,有利于提升器件稳定性,而FN2200组分在薄膜底部形成高效的电荷传输通路,从而实现高性能透明的有机场效应晶体管器件。此外还对柔性OFET器件的制作工艺进行探索,通过在PDMS薄片上旋涂共混薄膜再转移到带有电极的基OFET底上,实现了可工作的有机场效应晶体管。这为后续柔性可拉伸器件的制备打下基础。该共混体系在可穿戴设备和电子皮肤上具有很大的应用潜力。
李晓剑[2]（2020）在《基于窄禁带半导体碲化铋薄膜的异质结特性研究》文中提出热光伏电池作为一种能够直接将热能转化为电能的器件,近些年来受到了很多的关注。目前,广泛研究的热光伏电池吸收的主要是波长在3.5微米以下的红外光子。当它们用于热光伏发电时,通常需要温度在1000 K以上的热源来与之相匹配。然而,对于日常生活中存在更为普遍的温度在500 K以下的热源,与之相对应的热光伏电池还鲜有研究。由于热源温度的降低会使得辐射光子的能量变小,因此这类吸收低温辐射的热光伏电池应由禁带宽度非常窄的半导体材料制备而成。论文选择n型窄禁带半导体碲化铋（0.15-0.17 eV）薄膜作为吸收层,分别与p型碲化锑薄膜和p型单晶硅组成异质结,研究了它们的电学和光学特性,并探讨了用作低温（低于500 K）辐射热光伏电池的可行性。具体工作如下:针对常温工作热光伏电池要求,提出了碲化铋/碲化锑异质结中载流子同向扩散的模型,制备了碲化铋/碲化锑异质结,研究了温度对该异质结I-V特性的影响;设计了一套红外光谱响应测试系统,可以满足热光伏电池测试需求,研制的碲化铋/碲化锑异质结构成的热光伏电池的吸收截止波长可以长达8.2微米;研制了碲化铋/硅热光伏电池,通过优化异质结能带结构,改善了电池在低温热辐射下的输出性能,并阐明了单晶硅的电阻率以及碲化铋薄膜的厚度对电池性能的影响机制。
王常鹏[3]（2018）在《非掺杂ZnO薄膜中载流子输运性质的研究》文中研究表明ZnO作为第三代宽禁带半导体的代表,其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,在光电器件领域具有很大的应用前景。经过近20年的研究,ZnO材料体系在薄膜生长、杂质调控和器件应用等方面取得了一定的成果。但是至今,高质量ZnO单晶难以制备、迁移率低下、p型电导不稳定等问题阻碍了ZnO基光电材料和器件的实用化进程,这些亟待解决的问题都与ZnO薄膜中的缺陷、杂质息息相关。本论文致力于研究ZnO薄膜中载流子输运性质,为了解这些缺陷、杂质的开辟了一条重要途径,主要内容如下:（1）利用PLD技术、选取ZnO陶瓷靶作为源材料,通过对基靶间距、激光脉冲频率和激光器压强等工艺参数进行优化,在c-Al2O3衬底上制备了未掺杂的ZnO薄膜。通过对制备的样品进行晶体结构、形貌特征、发光性能和电学性能的表征,得到最佳的Zn O薄膜生长工艺参数。（2）对制备的ZnO薄膜的导电机理进行了系统的研究,得到在不同的温度范围内ZnO薄膜具有不同的导电机理。在125300 K温区内,ZnO薄膜的电导由导带中的电子导电和最近邻跳跃导电共同参与;在30100 K较低的温度下,主要是Mott可变程跳跃电导机制;而在220 K极低温度时,导电机制从Mott可变程跳跃电导转变为ES可变程跳跃电导。（3）通过分析ZnO薄膜中的载流子浓度和迁移率随温度的变化关系,研究了未掺杂ZnO材料中载流子电输运性质。发现电极制备的偏差对电学测量带来严重影响,引入修正公式对电极的影响进行了有效修正;认为由于能带的不连续在衬底和薄膜的界面存在一层高载流子浓度的高导层,导致载流子浓度和迁移率随温度变化存在异常现象,提出了利用双层结构的导电模型消除高导层的影响,得到外延层的电学参数被明显提高。计算出扣除高导层后的电导率,发现该ZnO薄膜在温度较高时（80300 K）只有单一的能带导电。（4）选取载流子浓度不同的ZnO薄膜样品,研究不同温度下的磁阻与磁场强度的关系。发现载流子浓度越低,对应的局域化程度越高,磁阻数值越大;在存在双层导电机制的样品中观测到了正磁阻效应,将其归结为极低的温度下高导层的影响,两种不同的载流子共同参与导电所致。
孙聂枫,赵有文,孙同年[4]（2008）在《InP中的深能级杂质与缺陷（续）》文中提出
孙聂枫[5]（2008）在《InP晶体合成、生长和特性》文中研究指明磷化铟（InP）已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料;大直径InP单晶生长;与熔体配比相关的缺陷性质;InP中的VInH4相关的缺陷性质和有关InP材料的应用,主要获得以下结果:1、深入分析InP合成的物理化学过程,国际上首次采用双管合成技术,通过对热场和其他工艺参数的优化,实现在60-90分钟内合成4-6Kg高纯InP多晶。通过对配比量的调节,实现了熔体的富铟、近化学配比,富磷等状态,为进一步开展不同熔体配比对InP性质的影响奠定了基础。相关成果发表在16th IPRM Proceedings;Materials Science In Semiconductor Processing;Journal of Rare Earths;Chinese Journal of Semiconductors, IOCG-2007 Proceedings.等会议和刊物上。2、通过对晶体生长中孪晶形成和位错增殖的机理研究,优化热场条件,调整工艺参数,生长了具有国际先进水平的5.5英寸整锭InP单晶,并生长了长190mm的半绝缘InP单晶。相关成果在16th IPRM Proceedings; 8th ICSICT;Journal of Rare Earths;半导体学报等会议和刊物上发表。3、利用常温Hall,变温Hall,光致发光谱（PL）,付立叶变换红外吸收谱（FT-IR）及正电子寿命谱等对富铟、近化学配比、富磷中的缺陷进行了深入分析。测试结果表明:富磷条件下生长的InP材料含有相对较高浓度的浅施主和浅受主杂质或缺陷,富磷条件下生长的InP材料中有与铟空位VIn结合而成的复合能级的存在,InP材料中铟空位与氢的复合体VInH4在非掺InP材料中为浅施主,其在富磷熔体条件下具有较高的浓度、富铟熔体条件下浓度最低。在10-300K的温度范围,用正电子寿命谱分析了用不同配比条件的InP材料,测量表明,样品中含有不同浓度的铟空位和氢的复合体,VInH4。在富磷样品中可以观测到比较高浓度的VInH4,如果温度足够地可以观测到电阻率的升高。研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响。相关成果在13th SIMC; Journal of Rare Earths;18th IPRM;Journal of Physics and Chemistry of Solids;Materials Science And Engineering B;中国电子科学研究院学报;半导体学报等会议和刊物上发表。
赵有文,罗以琳,孙聂枫,冯汉源,孙同年,林兰英[6]（2002）在《退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)》文中指出利用变温霍尔和电流 -电压特性 （I- V）两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导 ,这与自由电子浓度较低、有一定补偿度的原生非掺磷化铟的情况类似 .非掺 SI- In P表现出不同于原生掺铁的 SI- In P的 I- V特性 ,在一直到击穿为止的外加电场范围内呈欧姆特性 ,而掺铁 SI- In P的 I- V具有与陷阱填充有关非线性特征 .根据空间电荷限制电流的理论 ,这种现象可以解释为非掺 SI- In P中没有未被电子占据的空的深能级缺陷
二、退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)（论文提纲范文）
（1）新型萘二甲酰亚胺基半导体/绝缘聚合物共混薄膜的制备和电荷输运研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 有机半导体材料的发展 |
| 1.1.2 有机半导体材料的分类 |
| 1.2 有机场效应晶体管结构与工作原理 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管结构 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的工作原理 |
| 1.3 测试与表征手段 |
| 1.3.1 电学性能 |
| 1.3.2 结构与形貌 |
| 1.4 共混薄膜有机场效应晶体管器件构筑工程 |
| 1.4.1 共混薄膜的分类 |
| 1.4.2 共混薄膜的相分离结构 |
| 1.4.3 半导体/绝缘聚合物共混薄膜OFET器件构筑 |
| 1.5 本论文的研究思路及意义 |
| 第2章 半导体聚合物FN2200有机场效应晶体管的制备和性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 原料与仪器 |
| 2.2.2 器件制备 |
| 2.2.3 性能测试与结构形貌表征 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 FN2200的电荷传输特性 |
| 2.3.2 FN2200的结构与形貌 |
| 2.3.3 FN2200的光学性质 |
| 2.4 小结 |
| 第3章 FN2200/PS共混薄膜有机场效应晶体管的制备和性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要实验试剂 |
| 3.2.2 共混薄膜OFET器件制备 |
| 3.2.3 性能测试与结构形貌表征 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 共混薄膜电荷传输特性 |
| 3.3.2 共混薄膜的形貌与结构 |
| 3.3.3 共混薄膜的结构与电荷传输性能间的关系 |
| 3.3.4 加工溶剂对共混薄膜的结构与性能的影响 |
| 3.3.5 聚苯乙烯(PS)的分子量对共混薄膜性能的影响 |
| 3.3.6 溶剂添加剂对共混薄膜的结构与性能影响 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 FN2200/ PDMS共混薄膜有机场效应晶体管的制备和性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 原料与仪器 |
| 4.2.2 共混薄膜OFET器件制备 |
| 4.2.3 测试与表征 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 共混薄膜电荷传输特性 |
| 4.3.2 共混薄膜的结构与形貌 |
| 4.3.3 共混薄膜的光学性质 |
| 4.3.4 共混薄膜的结构与性能间的关系 |
| 4.3.5 柔性器件工艺研究 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 论文总结 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 英文缩略词一览表 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（2）基于窄禁带半导体碲化铋薄膜的异质结特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 热光伏电池 |
| 1.1.1 热光伏技术简介 |
| 1.1.2 热光伏电池工作原理 |
| 1.1.3 热光伏电池研究现状 |
| 1.1.4 低温辐射热光伏电池 |
| 1.2 窄禁带半导体碲化铋的物理性质 |
| 1.2.1 热电效应 |
| 1.2.1.1 塞贝克效应 |
| 1.2.1.2 帕尔贴效应 |
| 1.2.1.3 汤姆逊效应 |
| 1.2.2 拓扑绝缘体性质 |
| 1.3 碲化铋研究现状 |
| 1.3.1 碲化铋基热电材料的研究现状 |
| 1.3.1.1 纳米尺度的低维研究 |
| 1.3.1.2 掺杂改性研究 |
| 1.3.1.3 制备技术研究 |
| 1.3.2 碲化铋拓扑绝缘体性质的研究现状 |
| 1.3.3 碲化铋光伏效应的研究现状 |
| 1.4 半导体异质结 |
| 1.4.1 异质结基本概念 |
| 1.4.2 异质结能带图 |
| 1.5 课题研究背景及目的 |
| 1.6 论文结构安排 |
| 第二章 碲化铋薄膜的制备和表征 |
| 2.1 真空镀膜简介 |
| 2.2 薄膜生长机理 |
| 2.2.1 吸附 |
| 2.2.2 成核 |
| 2.2.3 生长 |
| 2.3 真空蒸发法制备碲化铋薄膜 |
| 2.3.1 真空蒸发法镀膜简介 |
| 2.3.2 实验设备 |
| 2.3.2.1 箱式真空镀膜机 |
| 2.3.2.2 化学分析天平 |
| 2.3.2.3 超声波清洗机 |
| 2.3.2.4 刚玉炉膛箱式炉 |
| 2.3.3 实验过程 |
| 2.3.3.1 碲化铋薄膜的制备过程 |
| 2.3.3.2 碲化铋薄膜退火处理 |
| 2.4 真空蒸发法制备的碲化铋薄膜的表征 |
| 2.4.1 实验仪器 |
| 2.4.1.1 扫描电子显微镜系统(SEM-EDX) |
| 2.4.1.2 变温霍尔效应测试仪 |
| 2.4.2 实验过程 |
| 2.4.2.1 碲化铋薄膜形貌及组分测试 |
| 2.4.2.2 碲化铋薄膜电学特性测试 |
| 2.4.3 实验结果与分析 |
| 2.5 磁控溅射法制备碲化铋薄膜 |
| 2.5.1 磁控溅射法镀膜简介 |
| 2.5.2 实验设备及材料 |
| 2.5.2.1 磁控溅射台 |
| 2.5.2.2 碲化铋靶材 |
| 2.5.3 实验过程 |
| 2.6 磁控溅射法制备的碲化铋薄膜的表征 |
| 2.6.1 形貌及组分 |
| 2.6.2 电学特性 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 碲化铋/碲化锑异质结 |
| 3.1 碲化铋/碲化锑异质结的制备 |
| 3.1.1 碲化锑简介 |
| 3.1.2 碲化锑薄膜的制备及表征 |
| 3.1.2.1 薄膜的制备 |
| 3.1.2.2 薄膜的表征 |
| 3.1.3 异质结的制备 |
| 3.2 碲化铋/碲化锑异质结的形貌及成分表征 |
| 3.3 碲化铋/碲化锑异质结的I-V特性 |
| 3.4 本征激发效应对I-V曲线的影响 |
| 3.4.1 激子结合能 |
| 3.4.2 载流子浓度 |
| 3.4.3 载流子同向扩散机理 |
| 3.5 碲化铋/碲化锑异质结的红外吸收特性 |
| 3.5.1 实验仪器 |
| 3.5.2 实验过程 |
| 3.5.3 实验结果与分析 |
| 3.6 碲化铋/碲化锑热光伏电池 |
| 3.6.1 碲化铋/碲化锑热光伏电池的光谱响应特性 |
| 3.6.1.1 实验仪器 |
| 3.6.1.2 实验过程 |
| 3.6.1.3 实验结果与分析 |
| 3.6.2 黑体辐射下碲化铋/碲化锑热光伏电池的输出性能 |
| 3.6.2.1 辐射出射度的计算 |
| 3.6.2.2 短路电流和开路电压 |
| 3.6.2.3 实验仪器 |
| 3.6.2.4 实验过程 |
| 3.6.2.5 实验结果与分析 |
| 3.6.3 碲化铋/碲化锑热光伏电池的转换效率 |
| 3.6.3.1 填充因子 |
| 3.6.3.2 转换效率 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 碲化铋/硅异质结 |
| 4.1 碲化铋/硅异质结的制备 |
| 4.2 碲化铋/硅异质结的I-V特性 |
| 4.3 碲化铋/硅异质结的能带结构 |
| 4.3.1 实验仪器 |
| 4.3.2 实验结果与分析 |
| 4.4 碲化铋/硅异质结对红外辐射的吸收特性 |
| 4.5 碲化铋/硅热光伏电池 |
| 4.5.1 碲化铋/硅热光伏电池的光谱响应特性 |
| 4.5.2 黑体辐射下碲化铋/硅热光伏电池的输出性能 |
| 4.5.3 单晶硅电阻率对碲化铋/硅热光伏电池输出性能的影响 |
| 4.5.4 碲化铋薄膜厚度对碲化铋/硅热光伏电池输出性能的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 论文工作总结 |
| 5.2 论文工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（3）非掺杂ZnO薄膜中载流子输运性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质 |
| 1.3 ZnO材料的相关研究进展 |
| 1.3.1 高质量ZnO薄膜的研究进展 |
| 1.3.2 ZnO薄膜电输运性质的研究进展 |
| 1.3.3 ZnO薄膜磁输运性质的研究进展 |
| 1.4 ZnO薄膜中存在的关键问题 |
| 1.5 本论文的选题依据、研究内容和创新点 |
| 1.5.1 选题依据 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.5.3 创新点 |
| 第2章 薄膜的制备及表征方法 |
| 2.1 薄膜的制备方法 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD) |
| 2.1.2 等离子体辅助分子束外延(P-MBE) |
| 2.2 薄膜的表征方法 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) |
| 2.2.4 表面轮廓扫描仪(SP) |
| 2.2.5 光致发光光谱(PL) |
| 2.2.6 ET9000电输运性质测量系统(Hall) |
| 2.2.7 综合物理性能测试系统(PPMS) |
| 第3章 ZnO薄膜的制备及性能表征 |
| 3.1 薄膜的制备 |
| 3.1.1 衬底的选择与处理 |
| 3.1.2 薄膜的制备过程 |
| 3.2 基靶间距对ZnO薄膜性能的影响 |
| 3.2.1 不同基靶间距对ZnO薄膜晶体结构的影响 |
| 3.2.2 不同基靶间距对ZnO薄膜形貌的影响 |
| 3.2.3 不同基靶间距对ZnO薄膜光学性能的影响 |
| 3.2.4 不同基靶间距对ZnO薄膜电学性能的影响 |
| 3.3 脉冲频率对ZnO薄膜性能的影响 |
| 3.3.1 不同脉冲频率对ZnO薄膜晶体结构的影响 |
| 3.3.2 不同脉冲频率对ZnO薄膜形貌的影响 |
| 3.3.3 不同脉冲频率对ZnO薄膜光学性能的影响 |
| 3.3.4 不同脉冲频率对ZnO薄膜电学性能的影响 |
| 3.4 激光器压强对ZnO薄膜性能的影响 |
| 3.4.1 不同激光器压强对ZnO薄膜晶体结构的影响 |
| 3.4.2 不同激光器压强对ZnO薄膜形貌的影响 |
| 3.4.3 不同激光器压强对ZnO薄膜光学性能的影响 |
| 3.4.4 不同激光器压强对ZnO薄膜电学性能的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 ZnO薄膜导电机理的研究 |
| 4.1 电学测试方法 |
| 4.1.1 电极制备工艺 |
| 4.1.2 电导测试与计算 |
| 4.2 导电机理的分析 |
| 4.2.1 半导体中的导电机制 |
| 4.2.2 数据分析方法 |
| 4.2.3 ZnO薄膜的导电机理分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 ZnO薄膜电输运性质的研究 |
| 5.1 半导体中电学参数理论基础 |
| 5.1.1 载流子浓度 |
| 5.1.2 迁移率 |
| 5.2 非线性Hall电阻的修正 |
| 5.2.1 测试计算原理 |
| 5.2.2 实际测量结果 |
| 5.2.3 Hall电阻的修正 |
| 5.3 双层导电模型 |
| 5.3.1 电学测试结果 |
| 5.3.2 双层导电模型拟合 |
| 5.3.3 结果分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 ZnO薄膜磁输运性质的研究 |
| 6.1 半导体中磁电阻 |
| 6.1.1 正磁阻 |
| 6.1.2 负磁阻 |
| 6.2 ZnO薄膜的磁电阻 |
| 6.2.1 ZnO薄膜的基本性质对比 |
| 6.2.2 ZnO薄膜的测试结果 |
| 6.2.3 拟合分析与讨论 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目与研究成果 |
（4）InP中的深能级杂质与缺陷（续）（论文提纲范文）
| 4 SI-InP形成机理 |
| 4.1 掺Fe SI-InP形成机理 |
| 4.2 非掺杂SI-InP形成机理 |
| 5 我国InP中的深能级缺陷和杂质的研究 |
| 5.1 InP中缺陷形成机理和缺陷产生抑制现象 |
| 5.2 缺陷对InP材料的电学补偿作用 |
| 5.3 新型SI-InP材料 |
| 5.4 InP材料中与杂质有关的结构缺陷 |
（5）InP晶体合成、生长和特性（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 InP 晶体概述 |
| 1.2 InP 的基本性能 |
| 1.3 国内外InP 单晶材料研究背景 |
| 1.3.1 国外InP 单晶材料发展情况 |
| 1.3.2 我国InP 单晶材料发展情况 |
| 1.4 课题来源、选题意义 |
| 1.4.1 课题来源 |
| 1.4.2 选题意义 |
| 1.5 本论文的内容和结构安排 |
| 第二章 InP 合成技术 |
| 2.1 合成InP 多晶方法简介 |
| 2.1.1 溶质扩散法合成（SSD） |
| 2.1.2 水平布里奇曼法（HB）和水平梯度凝固法（HGF）合成 |
| 2.1.3 直接合成法 |
| 2.2 磷注入合成InP 多晶 |
| 2.2.1 磷注入合成InP 原理 |
| 2.2.2 磷注入合成方法 |
| 2.3 大容量、快速磷注入合成InP 材料 |
| 2.3.1 原材料 |
| 2.3.2 实验 |
| 2.4 影响磷注入合成速度和质量的工艺因素 |
| 2.4.1 热场 |
| 2.4.2 合成速度及温度的控制 |
| 2.4.3 炉内压力的影响 |
| 2.4.4 熔体化学计量比的控制 |
| 2.4.5 合成的结果及分析 |
| 2.5 结论 |
| 第三章 InP 单晶生长 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 InP 单晶生长技术简介 |
| 3.2.1 液封直拉(Liquid Encapsulated Czochralski,LEC)技术 |
| 3.2.2 改进的LEC 法 |
| 3.2.3 蒸气控制直拉(Vapour Control Czochralski,VCz)技术 |
| 3.2.4 垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freeze, VGF)和垂直布里奇曼(Vertical Bridgeman,VB)技术 |
| 3.2.5 水平布里奇曼(Horizontal Bridgman,HB)技术、水平梯度凝固(Horizontal Gradient Freeze HGF)技术 |
| 3.2.6 其他生长InP 单晶技术 |
| 3.3 InP 大直径、长单晶生长研究 |
| 3.3.1 研究内容 |
| 3.3.2 实验条件和设计 |
| 3.3.3 减少InP 单晶生长中孪晶的产生 |
| 3.3.4 降低InP 单晶中的位错密度 |
| 3.4 结论 |
| 第四章 熔体配比条件与InP 材料的缺陷特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 室温和变温Hall 测试分析 |
| 4.3.2 光致发光谱（PL）测试分析 |
| 4.3.3 付立叶变换红外吸收谱(FT-IR)测试分析 |
| 4.3.4 缺陷的形成与熔体化学计量比的关系 |
| 4.3.5 熔体的化学计量比与晶体原生缺陷形成能的关系 |
| 4.3.6 熔体化学计量比与V_(In)H_4 的浓度关系 |
| 4.3.7 铟空位与氢复合体V_(In)H_4 对测试结果的影响 |
| 4.4 结论 |
| 第五章 V_(In)H_4在InP 材料中的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 试验 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 未掺杂LEC-InP 中的V_(In)H_4 |
| 5.3.2 掺Fe 的LEC-InP 中的V_(In)H_4 |
| 5.3.3 对n 型LEC-InP 电子特性的影响 |
| 5.3.4 对掺Fe 的LEC-InP 补偿的影响 |
| 5.3.5 对LEC-InP 材料热稳定性的影响 |
| 5.4 结果分析和讨论 |
| 5.5 结论 |
| 第六章 InP 基谐振隧穿器件及其集成技术初步研究 |
| 6.1 谐振隧穿器件及其集成技术研究概述 |
| 6.1.1 谐振隧穿器件 |
| 6.1.2 HEMT |
| 6.1.3 RTD 与HEMT 单片集成 |
| 6.1.4 InP 基RTD/HEMT 单片集成研究 |
| 6.2 材料结构设计 |
| 6.2.1 材料结构列表 |
| 6.2.2 材料的分子束外延 |
| 6.2.3 版图设计 |
| 6.2.4 RTD/HEMT 单片集成工艺介绍 |
| 6.3 器件测试结果与分析 |
| 6.3.1 芯片测试结果与分析 |
| 6.3.2 说明 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 论文总结 |
| 7.2 进一步展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（6）退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)（论文提纲范文）
| 1 Introduction |
| 2 Experiment |
| 3 Results and analysis |
| 4 Discussion |
| 5 Summary |
四、退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)（论文参考文献）
- [1]新型萘二甲酰亚胺基半导体/绝缘聚合物共混薄膜的制备和电荷输运研究[D]. 张悦. 中国科学技术大学, 2021(08)
- [2]基于窄禁带半导体碲化铋薄膜的异质结特性研究[D]. 李晓剑. 东南大学, 2020(01)
- [3]非掺杂ZnO薄膜中载流子输运性质的研究[D]. 王常鹏. 深圳大学, 2018(07)
- [4]InP中的深能级杂质与缺陷（续）[J]. 孙聂枫,赵有文,孙同年. 微纳电子技术, 2008(11)
- [5]InP晶体合成、生长和特性[D]. 孙聂枫. 天津大学, 2008(08)
- [6]退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)[J]. 赵有文,罗以琳,孙聂枫,冯汉源,孙同年,林兰英. 半导体学报, 2002(01)